一种高效P型太阳能电池及光伏组件制造技术

本发明专利技术公开了一种高效P型太阳能电池，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；所述迎光面外延层包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；所述背光面外延层包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。本发明专利技术使太阳能电池表面钝化与发射极的表面完整性兼得。本发明专利技术还提供了一种具有上述优点的光伏组件。

【技术实现步骤摘要】
一种高效P型太阳能电池及光伏组件
本专利技术涉及光伏新能源领域，特别是涉及一种高效P型太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
高效率、低成本是太阳能电池研究最重要的两个方向。对于晶体硅太阳能电池来说，随着晶体硅制造技术的提升，基体硅片的体载流子寿命不断提高，已经不再是制约电池效率提升的关键因素。而电池表面的钝化对转换效率的影响越来越明显。太阳能电池的生产过程中，基体硅片的成本占整个生产成本的比例最高，为降低生产成本，尽快实现光伏电价“平价上网”，提高市场竞争力，硅片薄化是必然的趋势，随之产生的问题就是电池表面复合严重，为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率，对晶体硅太阳电池表面钝化技术的研究是必不可少的然而在太阳能电池中，PN结是产生光伏电流的必要条件，以P型PERC电池为例，P型硅基体上磷扩散制备的N型发射极与P型硅基体形成PN结，产生内建电场，从而在光照时产生光生伏特效应；因此发射极的均匀性、一致性严重影响着电池的开路电压和短路电流，而现有的表面钝化技术却会不同程度地破坏所述发射极的表面完整性，进而影响太阳能电池的发电效率。因此，如何找到一种太阳能电池表面钝化与发射极表面完整性兼得的太阳能电池结构，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高效P型太阳能电池及光伏组件，以解决现有技术中优秀的表面钝化效果与发射极的表面完整性不可兼得的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种高效P型太阳能电池，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述高效P型太阳能电池还包括正面遂穿氧化层；所述正面遂穿氧化层设置于所述高掺杂多晶硅层及所述P型基体硅之间。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述正面遂穿氧化层及所述背面遂穿氧化层的厚度范围为1.5纳米至2.5纳米，包括端点值。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述高掺杂多晶硅层的厚度范围为50纳米至150纳米，包括端点值。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述高效P型太阳能电池还包括高掺杂扩散层；所述高掺杂扩散层设置于所述P型基体硅及所述正面钝化层之间；所述高掺杂扩散层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述正面钝化层及所述背面钝化层为氮化硅层。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述正面钝化层的厚度范围为75纳米至85纳米，所述背面钝化层的厚度范围为70纳米至90纳米，包括端点值。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述N型掺杂层的厚度为50纳米至150纳米，包括端点值。可选地，在所述的高效P型太阳能电池中，所述高效P型太阳能电池为表面制绒太阳能电池。一种光伏组件，所述光伏组件包括如上述任一种所述的高效P型太阳能电池。本专利技术所提供的高效P型太阳能电池，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。本专利技术通过将发射极(即所述N型掺杂层)设置于太阳能电池的背光面，使得迎光面的钝化层不再设置于发射极表面，而是直接设置在所述P型基体硅上，直接避免了迎光面的图形化钝化层(即所述高掺杂多晶硅层)在设置过程中对发射极的损伤，在保证太阳能电池表面钝化的前提下，也保证了太阳能电池发射极的表面完整性，提高了电池效率。本专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的光伏组件。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的高效P型太阳能电池的一种具体实施方式的结构示意图；图2为本专利技术提供的高效P型太阳能电池的另一种具体实施方式的结构示意图；图3为本专利技术提供的高效P型太阳能电池的又一种具体实施方式的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的核心是提供一种高效P型太阳能电池，其一种具体实施方式的结构示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括迎光面外延层、P型基体硅100及背光面外延层；所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅100的方向依次包括设置于所述P型基体硅100的表面的非金属区的正面钝化层320、设置于所述P型基体硅100的表面的金属区的高掺杂多晶硅层310及设置于所述高掺杂多晶硅层310表面的正表面电极330；所述高掺杂多晶硅层310为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅100；所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅100的方向依次包括设置于所述P型基体硅100表面的背面遂穿氧化层210，设置于所述背面遂穿氧化层210表面的N型掺杂层220、设置于所述N型掺杂层220表面的金属区的背表面电极240及设置于所述N型掺杂层220表面的非金属区的背面钝化层230。作为一种优选实施方式，所述高掺杂多晶硅层310的厚度范围为50纳米至150纳米，包括端点值，如50.0纳米，100.2纳米或150.0纳米中任一个。另外，所述正面钝化层320及所述背面钝化层230为氮化硅层，所述氮化硅层可同时起到减反射与钝化作用，使入射光更好地被太阳能电池吸收，提高发电效率；更进一步地，所述正面钝化层320的厚度范围为75纳米至85纳米，如75.0纳米，80.0纳米或85.0纳米中任一个，所述背面钝化层230本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效P型太阳能电池，其特征在于，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；/n所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；/n所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；/n所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效P型太阳能电池，其特征在于，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；
所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；
所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；
所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。


2.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述高效P型太阳能电池还包括正面遂穿氧化层；
所述正面遂穿氧化层设置于所述高掺杂多晶硅层及所述P型基体硅之间。


3.如权利要求2所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述正面遂穿氧化层及所述背面遂穿氧化层的厚度范围为1.5纳米至2.5纳米，包括端点值。


4.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟潇，白玉磐，陈园，付少剑，
申请(专利权)人：江西展宇新能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36