使用牺牲层形成电容器制造技术

本发明专利技术描述与使用牺牲材料形成电容器有关的方法、设备及系统。实例性方法包含在衬底上形成第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第二氮化物材料上形成牺牲材料。所述方法进一步包含穿过所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述第二硅酸盐材料、所述第二氮化物材料及所述牺牲材料形成电容器材料柱。所述方法进一步包含移除所述牺牲材料以暴露所述电容器材料的顶部部分。

【技术实现步骤摘要】
使用牺牲层形成电容器
本专利技术一般来说涉及半导体装置及方法，且更特定来说涉及使用牺牲层形成电容器。
技术介绍
存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及快闪存储器以及其它存储器。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的宽广范围的电子应用。与在不存在电力的情况下保持其所存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)截然相反，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其所存储数据状态(例如，经由刷新过程)。然而，可比例如快闪存储器单元的各种非易失性存储器单元快地对例如DRAM单元的各种易失性存储器单元进行操作(例如，编程、读取、擦除等)。<br>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在衬底(101、201、301、401、501、601)上形成第一硅酸盐材料(103、203、303)；/n在所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上形成第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)；/n在所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上形成第二硅酸盐材料(106、206、306)；/n在所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上形成第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)；/n在所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上形成牺牲材料(112、212...

【技术特征摘要】
20190128 US 16/258,9041.一种方法，其包括：
在衬底(101、201、301、401、501、601)上形成第一硅酸盐材料(103、203、303)；
在所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上形成第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)；
在所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上形成第二硅酸盐材料(106、206、306)；
在所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上形成第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)；
在所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上形成牺牲材料(112、212)；
穿过所述第一硅酸盐材料(103、203、303)、所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)、所述第二硅酸盐材料(106、206、306)、所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)及所述牺牲材料(112、212)形成电容器材料(216、316、416、516、616)柱；及
移除所述牺牲材料(112、212)以暴露所述电容器材料(216、316、416、516、616)的顶部部分(315)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硅酸盐材料(103、203、303)、所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)、所述第二硅酸盐材料(106、206、306)、所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)及所述牺牲材料(112、212)的组合形成到大于10,000埃的高度。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)构成大于10,000埃的所述高度中的至少8,600埃。


4.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一硅酸盐材料(103、203、303)的高度(124-5、224-5、324-5)介于4,000埃与6,000埃之间；且
所述第二硅酸盐材料(106、206、306)的高度(124-3、224-3、324-3)介于2,000埃与5,000埃之间。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)的高度(124-4、224-4、324-4、424-4、524-4、624-4)介于100埃与400埃之间。


6.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)的高度(124-2、224-2、324-2、424-2、524-2、624-2)介于100埃与1,500埃之间；且
所述牺牲材料(112、212)的高度(124-1、224-1)介于100埃与1,500埃之间。


7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)介于所述牺牲材料(112、212)与所述第一硅酸盐材料(103、203、303)之间。


8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)中的至少一者包括硼磷硅酸盐玻璃BPSG材料及TEOS材料中的一者。


9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述牺牲材料(112、212)为氮化物材料及硅酸盐材料中的一者。


10.一种方法，其包括：
在衬底(101、201、301、401、501、601)上形成第一硅酸盐材料(103、203、303)；
在所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上形成第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)；
在所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上形成第二硅酸盐材料(106、206、306)；
在所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上形成第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)；
在所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上形成牺牲材料(112、212)；
在所形成的所述第一硅酸盐材料(103、2...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·施里岚，S·科尔克马兹，李健，S·萨帕，D·拉伊，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US