一种大功率半导体激光器驱动保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接；所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。本实用新型专利技术通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率半导体激光器驱动保护电路
本技术具体涉及一种大功率半导体激光器驱动保护电路。
技术介绍
现有的大功率发光器件的驱动方式有两种方案，方案1、采用三极管构造恒流源来驱动发光器件发光；方案2、采用集成电路输出恒定电流来来驱动发光器件发光。但是，上述方案仍存在以下问题：方案1、一般适用于小功率发光器件驱动；方案2、控制电路复杂成本高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，本技术通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。本技术的技术方案为：一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管D1、大功率半导体激光器D2、第二稳压管D3、MOS管U1、第一电压输入端CONTROL、第二电压输入端VCC、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电容C3、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。进一步的，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管、大功率半导体激光器、第二稳压管、MOS管、第一电压输入端、第二电压输入端、第一电阻、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻；/n所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管连接；所述MOS管与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管与第二稳压管的一端连接；/n所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；/n所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；/n所述第二电阻、第三电容并...

【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管、大功率半导体激光器、第二稳压管、MOS管、第一电压输入端、第二电压输入端、第一电阻、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻；
所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管连接；所述MOS管与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管与第二稳压管的一端连接；
所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；
所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；
所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。


2.根据权利要求1所述的大功率半导体激光器驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗坚，乔元，张文发，王亮，谢丽勤，
申请(专利权)人：惠州市金百泽电路科技有限公司，深圳市金百泽电子科技股份有限公司，西安金百泽电路科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44