一种大功率半导体激光器驱动保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接；所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。本实用新型专利技术通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率半导体激光器驱动保护电路
本技术具体涉及一种大功率半导体激光器驱动保护电路。
技术介绍
现有的大功率发光器件的驱动方式有两种方案，方案1、采用三极管构造恒流源来驱动发光器件发光；方案2、采用集成电路输出恒定电流来来驱动发光器件发光。但是，上述方案仍存在以下问题：方案1、一般适用于小功率发光器件驱动；方案2、控制电路复杂成本高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，本技术通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。本技术的技术方案为：一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管D1、大功率半导体激光器D2、第二稳压管D3、MOS管U1、第一电压输入端CONTROL、第二电压输入端VCC、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电容C3、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。进一步的，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接。进一步的，所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接。进一步的，所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接。本技术中，CONTROL端通过分立器件R5+D3+U1构成大功率半导体激光器的驱动部分。由稳压管D3以及R5来控制MOS管G极电压，使MOS管处于不完全打开状态来控制MOS管S极电流的大小，使大功率半导体激光器D2稳定工作。VCC端通过分立器件C3+R1+R3+D1构成大功率激光器的保护部分。经过阻容器件的储能、分压、滤波后，给大功率半导体激光器D2两端稳定电压，此时稳压管D1不工作，当电路中突现高电压时，此时D1开始工作，将高压泄放掉来保护电路。进一步的，所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。进一步的，所述第一电压输入端为矩形波电压输入端。进一步的，所述第二电压输入端为直流电压输入端。进一步的，所述第四电阻分别与第五电阻、第二稳压管连接。进一步的，所述第二稳压管的另一端与第三电阻的一端连接。本技术的具体工作过程如下：1、CONTROL端输入特定频率的矩形波电压，VCC端输入恒定直流电压。2、VCC端直流电压经过C1、C2、C3、R1、R3的储能、滤波、分压后给大功率激光器提供一个稳态工作电源。3、当CONTROL端处于高电平状态时，通过计算选择合适的分压电阻R5和稳压二极管D3，可使MOS管处于不完全导通状态，控制Ids，从而达到控制大功率激光器If的目的。4、当CONTROL端由高电平转向低电平状态时，MOS管关闭，此时MOS管的结电容电荷会经过R4进行泄放，防止电荷滞留影响开关性能，同时大功率激光器停止工作，大功率激光器负极由寄生电感引起的反向电压会经过D1和R2泄放，防止反向过压损坏激光器。本技术通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。本技术的有益效果在于：1、保护了昂贵的大功率激光器，延长了大功率激光器的使用寿命。2、大功率激光器的电流是可控的，可通过调节MOS管G极电压来适用不同的大功率激光器。3、MOS管取代了多个三极管以及集成电路，降低了电路成本，让电路变的更轻便，便于产品安装调试。附图说明图1为本技术驱动保护电路的示意图；符号说明：第一稳压管D1、大功率半导体激光器D2、第二稳压管D3、MOS管U1、第一电压输入端CONTROL、第二电压输入端VCC、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电容C3、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管D1、大功率半导体激光器D2、第二稳压管D3、MOS管U1、第一电压输入端CONTROL、第二电压输入端VCC、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电容C3、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。进一步的，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接。进一步的，所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接。进一步的，所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接。本技术中，CONTROL端通过分立器件R5+D3+U1构成大功率半导体激光器的驱动部分。由稳压管D3以及R5来控制MOS管G极电压，使MOS管处于不完全打开状态来控制MOS管S极电流的大小，使大功率半导体激光器D2稳定工作。VCC端通过分立器件C3+R1+R3+D1构成大功率激光器的保护部分。经过阻容器件的储能、分压、滤波后，给大功率半导体激光器D2两端稳定电压，此时稳压管D1不工作，当电路中突现高电压时，此时D1开始工作，将高压泄放掉来保护电路。进一步的，所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。进一步的，所述第一电压输入端为矩形波电压输入端。进一步的，所述第二电压输入端为直流电压输入端。进一步的，所述第四电阻分别与第五电阻、第二稳压管连接。进一步的，所述第二稳压管的另一端与第三电阻的一端连接。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管、大功率半导体激光器、第二稳压管、MOS管、第一电压输入端、第二电压输入端、第一电阻、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻；/n所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管连接；所述MOS管与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管与第二稳压管的一端连接；/n所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；/n所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；/n所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体激光器驱动保护电路，其特征在于，包括第一稳压管、大功率半导体激光器、第二稳压管、MOS管、第一电压输入端、第二电压输入端、第一电阻、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻；
所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管连接；所述MOS管与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管与第二稳压管的一端连接；
所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；
所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；
所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。


2.根据权利要求1所述的大功率半导体激光器驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗坚，乔元，张文发，王亮，谢丽勤，
申请(专利权)人：惠州市金百泽电路科技有限公司，深圳市金百泽电子科技股份有限公司，西安金百泽电路科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44