一种半导体激光器制造技术

本申请实施例提供一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。本申请实现了提高半导体激光器的光输出功率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。传统的半导体激光器由于物理结构的限制，基本无法通过单管来得到很高的光输出功率，只能通过直接光纤耦合、波长复用、偏振复用等激光巴条的空间合束方法来实现高功率输出。但是，对于单模半导体激光器而言，直接光纤耦合一般损耗较大。另外，由于波长的单一性，也无法通过波长复用的方式来实现空间光的合束，并且，同一巴条上的激光器的输出光的偏振状态一般是相同的，因此采用偏振合束对输出光功率的提高也非常有限，还会带来额外的光损耗。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种半导体激光器，用以实现提高半导体激光器的光输出功率。本申请实施例第一方面提供了一种半导体激光器，包括：波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；高反膜，设置在所述波导阵列的另一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：/n波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；/n光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；/n抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；/n高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；
光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；
抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；
高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述波导阵列包括：
第一波导阵列，所述第一波导阵列为脊波导阵列，所述第一波导阵列的一端连接所述光耦合器的光输入端；
第二波导阵列，所述第二波导阵列为脊波导阵列，所述第二波导阵列设置在所述第一波导阵列的另一端。


3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述波导阵列和所述光耦合器均形成于半导体外延层上；所述半导体外延层自下而上依次包括：衬底、下限制层、量子阱、上限制层和欧姆接触层。


4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，在所述半导体外延层上形成所述第一波导阵列和所述光耦合器的区域内，所述欧姆接触层的厚度为零。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，唐松，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32