半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。根据本发明专利技术实施例的半导体器件的制备方法，能够减小半导体器件损坏，提高半导体器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
在3DIC技术平台中，晶圆键合技术应用日益广泛，两片或多片晶圆贴合对waferedge质量要求很高，相关技术的晶圆键合后形成的封装芯片，在FAB端出厂进入PKG封装时，封装芯片的一侧形成有大体帽沿形状，由此在封装芯片的PKG封装的研磨减薄时，研磨晶圆容易造成晶圆产生裂纹，增加晶圆的内应力，而且使得晶圆在随后的工艺中易造成破片显现，降低产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，能够降低半导体器件封装工艺中造成的破片，提高产品良率。本专利技术中提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；/n对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；/n提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；/n对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；
对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；
提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；
对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二厚度为387μm～750μm。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述封装芯片包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成所述封装芯片，所述第一晶圆的下表面与所述第二晶圆的上表面贴合。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽贯穿所述第一晶圆且部分形成在所述第二晶圆上，所述定位槽的底壁的第二厚度T2和所述第二晶圆的厚度T1满足：2T2≤T1。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片径向方向的宽度为1mm～3mm。


6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片的周向延伸一周。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述胶层由环氧树脂材料制成。


8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽；
对所述封装芯片进行修剪以去除所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡顺，陈赫，刘艳云，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42