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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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