光刻胶组合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种光刻胶组合物及其制备方法和应用。光刻胶组合物，主要由按重量份数计的如下组分制成：成膜树脂20～40份、四苯基乙烯衍生物5～20份、交联剂2～20份、光敏剂0.5～20份和溶剂；所述四苯基乙烯衍生物为含羟基取代的四苯基乙烯类化合物；所述交联剂包括含有硝基的重氮树脂。本发明专利技术采用具有上述结构的四苯基乙烯衍生物结构与特定交联剂配合使用，四苯基乙烯衍生物具有一定的刚性，保证了光刻胶产品的高稳定性能；同时硝基的吸电子作用使重氮苯基发生异裂产生大量二苯胺阳离子，与四苯基乙烯衍生物结构上的羟基亲核基团反应交联，保证了热稳定性能、提高了膜层与衬底的附着力以及延长存储时间。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶组合物及其制备方法和应用
本专利技术涉及光刻胶
，尤其是涉及一种光刻胶组合物及其制备方法和应用。
技术介绍
光刻胶用于光刻法制造微电子器件，如制造计算机芯片和集成电路等。其一般需要经过在衬底材料如硅片、蓝宝石片等表面涂覆一层均匀的光刻胶，然后将其烘烤以蒸发去除胶中的溶剂，接着进行曝光，使光刻胶中的主要成分在光照下发生反应改变成分结构及其在显影液中的溶解速度，随后经过显影实现掩膜图形在衬底上的转移，形成需要的光刻图形，最后进行后烘坚膜以提高光刻胶在刻蚀工艺中的耐温性能及耐蚀刻性能。现有常见的i线光刻胶用主要原料树脂为酚醛树脂、重氮树脂等，其通常热稳定性能差，致使其存储期限短，应用范围都比较低端比较小。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种光刻胶组合物，以解决现有技术中存在的热稳定性差的技术问题。本专利技术的第二目的在于提供上述光刻胶组合物的制备方法，该方法操作简单，条件温和，适合大规模生产。本专利技术的第三目的在于提供上述光刻胶组合物在光刻法制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光刻胶组合物，其特征在于，主要由按重量份数计的如下组分制成：/n成膜树脂20～40份、四苯基乙烯衍生物5～20份、交联剂2～20份、光敏剂0.5～20份和溶剂；/n其中，所述四苯基乙烯衍生物为含羟基取代的四苯基乙烯类化合物；/n所述交联剂包括含有硝基的重氮树脂。/n

【技术特征摘要】
1.光刻胶组合物，其特征在于，主要由按重量份数计的如下组分制成：
成膜树脂20～40份、四苯基乙烯衍生物5～20份、交联剂2～20份、光敏剂0.5～20份和溶剂；
其中，所述四苯基乙烯衍生物为含羟基取代的四苯基乙烯类化合物；
所述交联剂包括含有硝基的重氮树脂。


2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述含羟基取代的四苯基乙烯类化合物选自结构式(I)中所示化合物的一种或多种，所述结构式(I)如下：



R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12各自独立的选自H、羟基或甲氧基，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中至少含有一个羟基。


3.根据权利要求2所述的光刻胶组合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中至少含有两个羟基，优选至少含有三个羟基，更优选至少含有四个羟基。


4.根据权利要求2所述的光刻胶组合物，其特征在于，R1、R2和R3中含有至少一个羟基，R4、R5和R6中含有至少一个羟基，R7、R8和R9中含有至少一个羟基，R10、R11和R12中含有至少一个羟基。


5.根据权利要求2-4任一项所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述四苯基乙烯衍生物的用量为10～20份。


6.根据权利要求1-4任一项所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述含有硝基的重氮树脂的结构式如下：

其中，n为5～100...

【专利技术属性】
技术研发人员：向容，刘聘，周元基，
申请(专利权)人：潍坊星泰克微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37