一种单晶炉漏硅检测装置制造方法及图纸

本申请公开了一种单晶炉漏硅检测装置，包括单晶炉炉体、设置在所述单晶炉炉体内部的坩埚，以及设置在所述单晶炉炉体底部的石墨毡、石墨板和CO检测单元，所述石墨毡位于所述单晶炉炉体内底部端面，所述石墨板铺设于所述石墨毡的上表面，所述CO检测单元穿过所述石墨板和所述石墨毡并贯穿所述单晶炉炉体底部设置。本申请提供的单晶炉漏硅检测装置，结构较单一、成本低，通过设置CO检测单元可及时地实现单晶硅炉内坩埚漏硅检测和预警。

A silicon leakage detection device for single crystal furnace

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉漏硅检测装置
本技术涉及晶体硅生产
，特别涉及一种单晶炉漏硅检测装置。
技术介绍
目前单晶拉制过程中，由于单晶炉中盛放硅液的坩埚在高温时处于软化状态，随着使用时间的增加会出现孔洞、裂缝、塌边等情况。当内坩埚出现裂纹时，硅液从石英坩埚中渗漏，并沿着石墨坩埚内壁向下流淌，直至到达炉体底部中央位置附近，该处炉体体壁厚较薄，当高温硅颗粒滴落到该部位时会造成该部位被烫穿，大气中的空气快速通过该部位进入炉内，与炉底的石墨材料发生反应产生一氧化碳(carbonmonoxide，简称：CO)气体；当硅液从内坩埚渗漏后在外坩埚旋转运行的作用下滴落到炉体底部的通孔附近，炉体底部有水冷管道，硅液烫穿炉体底部后接触水冷部位，使得冷却水经过烫穿的缝隙气化并进入炉体内部，气化后水蒸气在高温下与石墨材料反应产生CO和氢气(hydrogen，简称：H2)；随着硅液的进一步泄露甚至会导致坩埚内熔硅氧化燃烧，引发安全事故。因此，尽早发现单晶炉漏硅是迫切需要解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本技术的目的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉漏硅检测装置，其特征在于包括：/n单晶炉炉体、设置在所述单晶炉炉体内部的坩埚，以及设置在所述单晶炉炉体底部的石墨毡、石墨板和CO检测单元，/n所述石墨毡位于所述单晶炉炉体内底部端面，所述石墨板铺设于所述石墨毡的上表面，/n所述CO检测单元穿过所述石墨板和所述石墨毡并贯穿所述单晶炉炉体底部设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉漏硅检测装置，其特征在于包括：
单晶炉炉体、设置在所述单晶炉炉体内部的坩埚，以及设置在所述单晶炉炉体底部的石墨毡、石墨板和CO检测单元，
所述石墨毡位于所述单晶炉炉体内底部端面，所述石墨板铺设于所述石墨毡的上表面，
所述CO检测单元穿过所述石墨板和所述石墨毡并贯穿所述单晶炉炉体底部设置。


2.根据权利要求1所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述CO检测单元包括CO探测机构和CO检测机构。


3.根据权利要求2所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，
所述CO探测机构位于所述单晶炉炉体内部，且其一端伸出所述石墨板，
所述CO检测机构位于所述单晶炉炉体外部，且其一端伸出所述单晶炉炉体外底部端面，
所述CO探测机构另一端和所述CO检测机构另一端通过密封件连接。


4.根据权利要求3所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜婷婷，冉瑞应，徐战军，邓浩，李博一，金雪，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64