一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置。所述装置包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台；所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端，支撑底座放置在支撑平台上，并与支撑平台固定连接；所述支撑底座内设有炉芯，炉芯设有散热棒，且散热棒插入炉芯内，并与支撑平台可拆卸连接，装炉时散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口保持距离，散热棒向上运动时与石英安瓿瓶的下端瓶口接触。在等径生长阶段，等径生长至50mm时，利用散热棒向上与石英安瓿瓶的下端瓶口接触，利用散热棒通过热辐射和热传导的方式将结晶潜热多余的热量缓慢放出，晶体生长完成后，无需再进行原位退火来减小晶体的热应力。

A latent heat release device for GaAs single crystal crystallization

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置
本技术涉及单晶生长领域，具体涉及一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置。
技术介绍
如Si、GaAs和InP等重要的半导体材料通常都是使用熔体生长技术进行制备的，例如：提拉(Cz)、部分液体封装技术(LEC)和垂直梯度凝固技术(VGF)等。晶体中结晶缺陷的属性与所选用的生长技术密切相关，采用不同的生长技术或方法生长的晶体，往往有着特定的结晶缺陷，这就构成了晶体结晶缺陷的多样性。例如：对于坩埚下降法生长的晶体来说，包裹体是主要的结晶缺陷，它包括杂质粒包裹体、被包裹物质在高温下升华而在晶体中留下的空洞等；对于熔体籽晶提拉法生长的晶体来说，包裹体不再是主要的结晶缺陷，取而代之的是螺旋位错、刃型位错、晶界(只有多晶体中存在)等。每一种方法或技术都与晶体生长的热力学和动力学有着各自的关系。晶体生长中一般可分为三个阶段：动力学阶段、体扩散阶段和潜热释放阶段。对于GaAs单晶生长，第三阶段潜热释放是决定晶体生长速率的关键，也是影响固-液界面角度的重要因素。潜热释放阶段是指在晶体化过程中产生的热量，通过辐射、热传导等途径释放。V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台；所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端，支撑底座放置在支撑平台上，并与支撑平台固定连接；所述支撑底座内设有炉芯，炉芯设有散热棒，且散热棒插入炉芯内，并与支撑平台可拆卸连接，装炉时散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口保持距离，散热棒向上运动时与石英安瓿瓶的下端瓶口接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台；所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端，支撑底座放置在支撑平台上，并与支撑平台固定连接；所述支撑底座内设有炉芯，炉芯设有散热棒，且散热棒插入炉芯内，并与支撑平台可拆卸连接，装炉时散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口保持距离，散热棒向上运动时与石英安瓿瓶的下端瓶口接触。


2.根据权利要求1所述的砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，所述支撑底座为石墨一体底座。


3.根据权利要求1所述的砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，所述支撑底座由内到外依次套设有炉芯、内石英管、内炉套、外石英管和外炉套，所述内石英管与内炉套之间、内炉套与外石英管之间、外石英管与外炉套之间均设有间隙，所述间隙为4-5mm。


4.根据权利要求1所述的砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，装炉时所述散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口距离50-60mm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的砷化镓单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，所述支撑底座上端...

【专利技术属性】
技术研发人员：易明辉，韩家贤，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44