【技术实现步骤摘要】
等离子约束装置及等离子体设备
本专利技术涉及半导体及其相关领域内的生产设备
，具体涉及一种等离子约束装置及等离子体设备。
技术介绍
等离子处理装置利用真空灵应室的工作原理进钉半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射颜能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进丽对半导体基片和等离子平板进行如工。举例来说，电容性等离子体反应器已经被广泛地用来加工半导体基片和显示器平板，在电容性等离子体反应器中，当射频功率被施加到二个电极之一或二者时，就在一对平行电极之间形成电容性放电。等离子体是扩散性的，虽然大部分等离子体会停留在一对电极之间的处理区域中，但部分等离子体可能充满整个工作室。举例来说，等离子体可能充满真空反应室下方的处理区域外围的区域。若等离子体到达这些区域，则这些区域可能随之发生腐锤、淀积或者侵蚀，这会造成反应室内部的颗粒陆污，进而降低等离子处理装置的重...
【技术保护点】
1.一种等离子约束装置，其特征在于，包括相独立的导电元件和接地元件，所述导电元件位于所述接地元件上方，并与所述接地元件单端电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种等离子约束装置，其特征在于，包括相独立的导电元件和接地元件，所述导电元件位于所述接地元件上方，并与所述接地元件单端电连接。
2.根据权利要求1所述的一种等离子约束装置，其特征在于，所述电连接的形式包括凸起金属面直接接触，凸起位置位于外圈或者内圈。
3.根据权利要求1所述的一种等离子约束装置，其特征在于，所述电连接的形式包括低阻值导电夹层，设置于所述导电元件和所述接地元件之间，电导率小于等于5Ω*cm。
4.根据权利要求2或3所述的一种等离子约束装置，其特征在于，所述导电元件与所述接地元件的非电连接面积大于导电元件面积的1/2。
5.根据权利要求1所述的一种等离子约...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴堃，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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