一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种修正模型的建立方法及装置、掩模图形优化方法及装置，预先基于历史掩模图形的图形参数、历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和历史掩模图形对应的历史权重建立修正模型，历史权重基于历史掩模图形的图形参数和/或历史曝光图形的实际参数，以及历史掩模图形的初始权重确定，在获取待修正掩模图形后，可以利用修正模型，得到待修正掩模图形对应的待修正曝光图形的预测参数，基于预测参数以及待修正曝光图形的目标参数，对待修正掩模图形进行修正，以减小预测参数和目标参数的差值。这样确定的历史权重是具有针对性的，据此建立的修正模型也是较为准确的，对待修正掩模图形的修正也更加具有针对性。

【技术实现步骤摘要】
一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置。
技术介绍
在半导体领域，光刻是集成电路生产中的一个重要工艺，具体的，可以通过曝光，将掩模版上的掩模图形按照一定比例转移到光刻胶层，进而从光刻胶层转移到要加工的对象上。掩模上的图形是根据实际需要的图形确定的。然而，实际操作中，随着晶圆上的图形尺寸越来越小，衍射效应越来越明显，再加上像差等其他因素，曝光后得到的曝光图形往往偏离了预先设计的尺寸，例如通过设计掩模图形想要得到200纳米的线宽，而实际得到的曝光图形的线宽为192.9纳米，即存在7.1纳米的误差。因此，需要对设计的掩模图形进行修正，以使利用修正后的掩模图形得到的曝光图形接近预先设计的尺寸，从而增强图形的保真度。通常来说，当线宽小于曝光波长时，可以对掩模图形进行光学临近效应修正，例如对于248纳米波长的光刻机，当图形线宽小于250纳米时，需要使用简单的修正，当线宽小于180纳米时，则需要非常复杂的修正。参考图1所示，为本申请实施例提供的一种曝光图形的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修正模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取历史掩模图形对应的历史权重；所述历史权重基于所述历史掩模图形的图形参数和/或所述历史曝光图形的实际参数，以及所述历史掩模图形的初始权重确定，所述历史掩模图形的初始权重与所述历史掩模图形的类型对应；/n基于所述历史掩模图形的图形参数、所述历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和所述历史权重建立修正模型。/n

【技术特征摘要】
1.一种修正模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：
获取历史掩模图形对应的历史权重；所述历史权重基于所述历史掩模图形的图形参数和/或所述历史曝光图形的实际参数，以及所述历史掩模图形的初始权重确定，所述历史掩模图形的初始权重与所述历史掩模图形的类型对应；
基于所述历史掩模图形的图形参数、所述历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和所述历史权重建立修正模型。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述历史权重基于所述初始权重和所述历史掩模图形的修正系数确定，所述修正系数基于所述历史掩模图形的图形参数和/或所述历史曝光图形的实际参数确定。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述历史掩模图形的类型包括以下至少一种：独立线条图形、线条周期图形、独立方块图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、独立矩形图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、独立端对端图形、端对端周期图形、独立端对线图形、端对线周期图形、L型图形、U型图形、T型图形、H型图形、独立间隙图形、间隙周期图形。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述历史掩模图形的图形参数包括所述历史掩模图形的关键尺寸的至少两种，所述历史曝光图形的实际参数包括所述历史曝光图形的关键尺寸的至少一种；所述关键尺寸包括线宽、周期、间距。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

或或或
其中，所述k为所述修正系数，所述n为所述历史掩模图形的极限设计尺寸，所述d1为所述历史掩模图形的关键尺寸，所述m为具有所述极限设计尺寸的历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的极限实际尺寸，所述d2为所述历史曝光图形的实际尺寸。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马乐，韦亚一，张利斌，陈睿，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11