【技术实现步骤摘要】
组合光罩
本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种组合光罩。
技术介绍
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变得越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，分辨率增强技术应运而生，其中，光学邻近修正(OPC)已成为重要技术之一。在存储器中，孔线混合接触连通层(MCT层)是比较重要的一层，MCT层上的特征图形既有孔洞又有线条，如果将孔洞和线条同时制作在一块光罩上，出现上述问题就比较难处理OPC模型，因为现有OPC模型不能同时兼顾孔洞与线条，对特征图形做OPC的上位机目前只能认为特征图形都是孔洞或者都是线条，所以通常在孔洞和线条之间选其一作为光罩上的图形，另外一者则利用上位机直接进行规则补偿，但是这容易导致最终在MCT层上形成的特征图形的特征尺寸的精度较低，现有的为MCT层上既有孔洞又有线条的特征图形做OPC的方法较为复杂，增加了OPC建模的难度，且工作效率较低。此外，同一光罩上的两列图形之...
【技术保护点】
1.一种组合光罩，其特征在于，所述组合光罩包括至少两个光罩，每个所述光罩上具有图形，各所述光罩重叠时，各所述光罩上的图形相互间隔。/n
【技术特征摘要】
1.一种组合光罩，其特征在于，所述组合光罩包括至少两个光罩，每个所述光罩上具有图形，各所述光罩重叠时，各所述光罩上的图形相互间隔。
2.如权利要求1所述的组合光罩，其特征在于，所述组合光罩包括：第一光罩和第二光罩，所述第一光罩上具有第一图形，所述第二光罩上具有第二图形，所述第一光罩和所述第二光罩重叠时，所述第一图形和所述第二图形相互间隔。
3.如权利要求2所述的组合光罩，其特征在于，所述第一图形包括至少两根间隔排列且相互平行的线条。
4.如权利要求3所述的组合光罩，其特征在于，所述第一图形包括多组相邻线条，所述多组相邻线条之间的距离相同。
5.如权利要求3所述的组合光罩，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：童立峰，杨要华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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