制造用于集成电路的光微影遮罩的方法技术

一种制造用于一集成电路的一光微影遮罩的方法包括对一集成电路遮罩布局执行一光学近接校正(OPC)处理以产生一经校正遮罩布局。该方法进一步包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC‑ILT增强的遮罩布局。该方法亦包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC‑ILT增强的遮罩布局。

The method of manufacturing light shadow mask for IC

【技术实现步骤摘要】
制造用于集成电路的光微影遮罩的方法
本揭示是有关于一种合成方法，特别是关于一种用于晶圆目标调整的遮罩数据合成方法。
技术介绍
在集成电路(integratedcircuit；IC)设计期间，针对IC处理的不同步骤，产生IC的许多IC布局。该些布局包括对应于在晶圆上制造的结构的几何形状。布局可为投影(例如成像)在晶圆上以产生IC的遮罩布局。光微影制程将遮罩布局的图案转印至晶圆，从而仅将蚀刻、植入或其他步骤应用于晶圆的预定义区域。将遮罩布局的图案转印至晶圆可能导致遮罩布局数据缺陷，此为半导体制造中的主要挑战。可应用光学近接校正(opticalproximitycorrection；OPC)操作来减少光遮罩布局数据缺陷。除了OPC之外，亦可将逆光微影技术(inverselithographictechnology；ILT)，即光微影制程的逆制程，应用于遮罩布局，以补偿(例如校正或增强)由光微影制程引起的缺陷。光微影制程可能并非线性的，且在ILT-OPC校正及增强之后的遮罩布局可能会在晶圆上的IC布局中产生缺陷，且因此需通过迭代过程对遮罩布局进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造用于一集成电路的一光微影遮罩的方法，其特征在于，包含以下步骤：/n对一集成电路遮罩布局执行一光学近接校正(OPC)处理以产生一经校正遮罩布局；/n对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC-ILT增强的遮罩布局；及/n使用一卷积神经网络验证该OPC-ILT增强的遮罩布局。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,146;20191127 US 16/698,0441.一种制造用于一集成电路的一光微影遮罩的方法，其特征在于，包含以下步骤：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭霆，吴东锦，罗世翔，赖志明，余瑞晋，刘如淦，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71