光学邻近修正模型、光学邻近修正方法技术

一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。本发明专利技术所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量，因此，通过所述OPC模型获得模拟图形后，即可在模拟图形中显示曲率异常的现象，以提高通过光学邻近修正模型所获得的模拟图形与物理晶圆上实际图形的匹配度，相应的，在对晶圆版图进行光学邻近修正时，能够根据模拟图形轮廓上各位置的实际曲率情况进行相应修正，从而提高了光学邻近修正的精准度。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正模型、光学邻近修正方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。在光刻工艺开始之前，晶圆版图会先通过特定的设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(例如为248纳米的紫外光)，将掩膜版上的图形复制到生产所用的晶圆上。但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到晶圆上的过程中会发生失真现象，在晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(opticalproximityeffect，OPE)。为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(opticalproximitycorrection，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学邻近修正模型，适于对晶圆版图进行光学邻近修正，其特征在于，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正模型，适于对晶圆版图进行光学邻近修正，其特征在于，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。


2.如权利要求1所述的光学邻近修正模型，其特征在于，所述曲率校正项是关于所述晶圆版图图形轮廓上各位置光强曲率和高斯函数的卷积的函数。


3.如权利要求2所述的光学邻近修正模型，其特征在于，采用公式(Ⅰ)作为所述曲率校正项，



其中，ΔT为光阻阈值的变化量，ci为拟合系数，I(x,y)为所述晶圆版图图形轮廓上各位置对应的空间光强，GSi为高斯函数。


4.如权利要求1所述的光学邻近修正模型，其特征在于，所述光学邻近修正模型为紧密光阻模型。


5.如权利要求1所述的光学邻近修正模型，其特征在于，所述光学邻近修正模型适于负光刻胶。


6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31