【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高压气罐的自动校准方法
本专利技术涉及半导体FAB制造工艺（FabricationProcess）设备中，为了给晶圆生产线输送气体，在柜（cabinet）的提升装置上装载（loading）高压气罐后，由提升装置使被装载的高压气罐上升，然后将高压气罐的端帽（endcap）和气体配管的连接器座中心自动校准（align）的高压气罐的自动校准方法。
技术介绍
在半导体的制造工艺上，通常根据用途输送不同种类的气体使用，如果这些气体一旦被大量吸入人体或者散发到空气中，容易造成安全事故或者环境污染等带来较大伤害，因此必须小心谨慎使用。例如，用于离子注入工艺的气体种类一般包括砷化氢（AsH3：Arsine）、磷化氢（PH3：Phosphine）或三氟化硼（BF3：BoronFluoride）等有毒气体，这些气体的毒性非常强，被作业人员吸入呼吸道会造成致命性的伤害，因此在生产线上输送的过程中须细心管理，谨防泄漏。如上所述的半导体制造工艺用气体而言，其管理非常重要，这些气体以被高压填充到气罐（下称高压气罐）内的状态装在柜内，由供...
【技术保护点】
1.一种高压气罐的自动校准方法，其特征在于，/n将高压气罐（200）放置在提升装置（400）上，使提升装置（400）上升，使得设置于高压气罐（200）上部的阀门（210）的端帽（213）水平方向中心与连接器座（310）的水平方向中心一致，然后使高压气罐（200）旋转同时，使端帽（213）的θ中心与连接器座（310）的θ中心一致后使提升装置（400）升、降，然后使端帽（213）的Z中心与连接器座（310）的Z中心一致。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171213 KR 10-2017-0170932;20181129 KR 10-2018-011.一种高压气罐的自动校准方法，其特征在于，
将高压气罐（200）放置在提升装置（400）上，使提升装置（400）上升，使得设置于高压气罐（200）上部的阀门（210）的端帽（213）水平方向中心与连接器座（310）的水平方向中心一致，然后使高压气罐（200）旋转同时，使端帽（213）的θ中心与连接器座（310）的θ中心一致后使提升装置（400）升、降，然后使端帽（213）的Z中心与连接器座（310）的Z中心一致。
2.一种高压气罐的自动校准方法，其特征在于，依次实施以下步骤：
在提升装置（400）上放置高压气罐（200），使提升装置（400）上升，直至第一传感器（320）检测到设置于高压气罐（200）上部的阀门手柄（212）的上端的步骤；
再驱动所述提升装置（400），使高压气罐（200）再上升控制部（500）中设定的值（由阀门手柄的上端至端帽的中心距离）后停止提升装置（400）的驱动的步骤；
使所述高压气罐（200）旋转，由第二传感器（330）检测到端帽（213）的起点（A）以后将此传输给控制部（500）的步骤；
使所述高压气罐（200）继续旋转，第二传感器（330）检测到端帽（213）的端点（B）以后，将此通知给控制部（500）的同时，停止高压气罐（200）的旋转，沿着通过控制部（500）算出的端帽（213）的θ中心使高压气罐（200）向相反方向旋转，使端帽（213）的θ中心与第二传感器（330）的中心一致的步骤；
使所述提升装置（400）上升，第二传感器（330）检测到端帽（213）的上止点（C）以后，将此传输给控制部（500）后停止提升装置（400）上升的步骤；
使所述提升装置（400）下降，第二传感器（330）检测到端帽（213）的下止点（D）以后，将此通知给控制部（500）的同时，停止提升装置（400）下降，然后沿着通过控制部（500）算出的端帽（213）的Z中心使提升装置（400）上升，使端帽（213）...
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