一种薄膜晶体管器件、驱动电路及显示装置制造方法及图纸

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种薄膜晶体管器件、驱动电路以及显示装置，薄膜晶体管器件包括衬底、设于衬底上的栅极层、设于栅极层上的阻挡层、设于阻挡层表面的有源层、设于有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层、设于源极势垒层表面的源极层以及设于漏极势垒层表面的漏极层，其中，源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，增加了薄膜晶体管内部的势垒能障，提升薄膜晶体管的稳定性，改善显示面板的残影现象，实现了提升背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态，降低薄膜晶体管的漏电，消除显示面板出现的残影的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管器件、驱动电路及显示装置
本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种薄膜二极管器件、驱动电路及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)具有迁移率高、制作工艺简单、大面积均匀性好、制造成本低等优点，被认为是驱动发光二极管(LightEmittingDiode，LED)显示最具潜力的器件。在TFT的制造技术中，背沟道刻蚀(BackChannelEtch，BCE)工艺是非晶硅TFT常见的工艺，只需四次光刻即可形成TFT：第一道光刻工艺形成TFT的栅极，第二道光刻工艺形成TFT的半导体层，第三道光刻工艺形成TFT的源极和漏极，第四道光刻工艺形成TFT的钝化层过孔。因BCE工艺只需要四块掩膜版和工艺步骤较少而被现有非晶硅(a-Si)TFT面板生产线广泛采用。然而，现有的背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态较差，会导致薄膜晶体管的漏电较大，从而使得显示面板产生残影的现象。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种薄膜二极管器件，旨在实现提升背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态，降低薄膜晶体管的漏电，消除显示面板出现的残影的目的。本申请是这样实现的，一种薄膜二极管器件，包括：衬底；设于所述衬底的栅极层，其中，所述衬底的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层设于所述衬底表面的第一预设区域；设于所述栅极层的阻挡层，其中，所述阻挡层设于所述栅极层表面以及所述衬底表面的第二预设区域；设于所述阻挡层表面的有源层，所述有源层表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域；设于所述源极势垒层表面的源极层；以及设于所述漏极势垒层表面的漏极层。可选的，所述源极势垒层包括：设于所述有源层表面的第一源极掺杂层，其中，所述第一源极掺杂层位于所述有源层表面的第三预设区域；设于所述第一源极掺杂层表面的第二源极掺杂层；设于所述第二源极掺杂层表面的第三源极掺杂层；以及设于所述第三源极掺杂层表面的第四源极掺杂层；所述第一源极掺杂层、所述第二源极掺杂层、所述第三源极掺杂层以及所述第四源极掺杂层的掺杂浓度互不相同。可选的，所述第一源极掺杂层具有第一源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂层具有第二源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂层具有第三源极掺杂浓度，所述第四源极掺杂层具有第四源极掺杂浓度；所述第一源极掺杂浓度小于所述第二源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂浓度小于所述第三源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂浓度小于所述第四源极掺杂浓度。可选的，所述漏极势垒层包括：设于所述有源层表面的第一漏极掺杂层，所述第一漏极掺杂层位于所述有源层表面的第四预设区域；设于所述第一漏极掺杂层表面的第二漏极掺杂层；设于所述第二漏极掺杂层表面的第三漏极掺杂层；以及设于所述第三漏极掺杂层表面的第四漏极掺杂层；所述第一漏极掺杂层、所述第二漏极掺杂层、所述第三漏极掺杂层以及所述第四漏极掺杂层的掺杂浓度互不相同。可选的，所述阻挡层包括氮化硅、二氧化硅中的至少一项。可选的，所述源极掺杂层为N型掺杂。可选的，所述有源层为非晶硅。可选的，所述非晶硅为氢化非晶硅。本申请的另一目的在于提供一种驱动电路，所述驱动电路包括如上述任一项所述的薄膜晶体管器件。本申请的再一目的在于提供一种显示装置，包括：显示面板；以及控制单元，所述控制单元与所述显示面板电性连接，所述控制单元包括如上述任一项所述的薄膜晶体管器件。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管器件、驱动电路以及显示装置中，所述薄膜晶体管器件包括衬底、设于所述衬底的栅极层、设于所述栅极层的阻挡层、设于所述阻挡层表面的有源层以及设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域，通过使所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，增加薄膜晶体管内部的势垒能障，提升薄膜晶体管的稳定性，改善显示面板的残影现象，实现了提升背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态，降低薄膜晶体管的漏电，消除显示面板出现的残影的目的。附图说明图1为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的结构示意图；图2为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的结构示意图；图3为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的能带示意图；图4为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的结构示意图；图5为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的能带示意图；图6为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的结构示意图；图7为本申请实施例提供的薄膜晶体管器件的结构示意图。具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。为了说明本申请所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。请参阅图1，如图1所示，本申请实施例提供的薄膜二极管器件，包括：衬底10；设于所述衬底10的栅极层20，其中，所述衬底10的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层20设于所述衬底10表面的第一预设区域；设于所述栅极层20的阻挡层30，其中，所述阻挡层30设于所述栅极层20表面以及所述衬底10表面的第二预设区域；设于所述阻挡层30表面的有源层40，所述有源层40表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；设于所述有源层40表面的源极势垒层51和漏极势垒层52，其中，所述源极势垒层51包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n设于所述衬底的栅极层，其中，所述衬底的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层设于所述衬底表面的第一预设区域；/n设于所述栅极层的阻挡层，其中，所述阻挡层设于所述栅极层表面以及所述衬底表面的第二预设区域；/n设于所述阻挡层表面的有源层，所述有源层表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；/n设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域；/n设于所述源极势垒层表面的源极层；以及/n设于所述漏极势垒层表面的漏极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：
衬底；
设于所述衬底的栅极层，其中，所述衬底的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层设于所述衬底表面的第一预设区域；
设于所述栅极层的阻挡层，其中，所述阻挡层设于所述栅极层表面以及所述衬底表面的第二预设区域；
设于所述阻挡层表面的有源层，所述有源层表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；
设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域；
设于所述源极势垒层表面的源极层；以及
设于所述漏极势垒层表面的漏极层。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述源极势垒层包括：
设于所述有源层表面的第一源极掺杂层，其中，所述第一源极掺杂层位于所述有源层表面的第三预设区域；
设于所述第一源极掺杂层表面的第二源极掺杂层；
设于所述第二源极掺杂层表面的第三源极掺杂层；以及
设于所述第三源极掺杂层表面的第四源极掺杂层；
所述第一源极掺杂层、所述第二源极掺杂层、所述第三源极掺杂层以及所述第四源极掺杂层的掺杂浓度互不相同。


3.如权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一源极掺杂层具有第一源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂层具有第二源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂层具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凤云，卓恩宗，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44