一种新型固晶材料及其封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种新型固晶材料及封装结构，所述固晶材料包括纳米金属膏薄膜、散热层，所述纳米金属膏薄膜均匀覆盖于散热层的上下两表面的至少一表面；所述散热层为多层石墨烯结构，所述纳米金属膏薄膜包括纳米金属颗粒、抗氧化剂、助焊剂、稳定剂、活性剂；所述纳米金属颗粒含量为50.0wt.％‑95.0wt.％、抗氧化剂含量为5.0wt.％–40.0wt.％wt.％，助焊剂、稳定剂和活性剂总量≤5.0wt.％。本发明专利技术具有高散热、厚度均匀的特点，在不影响半导体封装互连模块电气性能前提下，实现低温条件下固晶、互连，且可满足小间距、大功率、高温高压等条件下的使用，可广泛应用于电力电子、IGBT封装、光电子封装、MEMS封装、微电子、大功率LED封装等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种新型固晶材料及其封装结构
本专利技术属于第三代半导体封装
，具体涉及一种新型固晶材料及其封装结构。
技术介绍
电子互连材料及互连基板是半导体器件制造和微电子封装、电力电子封装微器件各模块连接组件间的枢纽，作为现代电子工业的代表性固晶、互连基板，传统互连基板多使用的是在板材表面电镀铜而成。然而近年来，微电子系统向高功率、高密度集成、小型化以及多功能化等方向发展，而其制作成本也要求不断降低，这对电子封装互连用基板在性能和热管理等方面提出了更高的要求，如实现耐高温互连(大于200℃)或者多级封装需要前级互连兼具低温连接以及耐高温特性等，高的互连温度对微电子产品的可靠性具有极大的负面影响，由于固体铜的熔点在1000℃以上，大部分元器件材料在此条件下都会造成热失效，如何在不影响其他材料性能条件下实现固晶和互连互通，是推进相关研究的主要思路和方向。
技术实现思路
针对当前固晶材料存在的不足，本专利技术提出一种新型高散热固晶材料，包括纳米金属膏薄膜、散热层，所述纳米金属膏薄膜均匀覆盖于散热层的上下两表面的至少一表面；所述散热层为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型固晶材料，其特征在于：所述固晶材料包括纳米金属膏薄膜、散热层，所述纳米金属膏薄膜均匀覆盖于散热层的上下两表面的至少一表面；所述散热层为石墨烯结构，所述纳米金属膏薄膜包括纳米金属颗粒、抗氧化剂、助焊剂、稳定剂、活性剂；所述纳米金属颗粒含量为50.0wt-95.0wt.％、抗氧化剂含量为5.0wt–40wt.％，助焊剂、稳定剂和活性剂总量≤5.0wt.％。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型固晶材料，其特征在于：所述固晶材料包括纳米金属膏薄膜、散热层，所述纳米金属膏薄膜均匀覆盖于散热层的上下两表面的至少一表面；所述散热层为石墨烯结构，所述纳米金属膏薄膜包括纳米金属颗粒、抗氧化剂、助焊剂、稳定剂、活性剂；所述纳米金属颗粒含量为50.0wt-95.0wt.％、抗氧化剂含量为5.0wt–40wt.％，助焊剂、稳定剂和活性剂总量≤5.0wt.％。


2.根据权利要求1所述的新型固晶材料，其特征在于：所述石墨烯结构选自单层石墨烯、多层石墨烯或单层石墨烯和多层石墨烯混合形成的石墨烯膏。


3.根权利要求1所述的新型固晶材料，其特征在于：所述石墨烯结构厚度为20μm-50μm。


4.根据权利要求1所述的新型固晶材料，其特征在于：所述纳米金属膏包括纳米铜膏、纳米银膏和M@Cu核壳纳米金属膏；所述M@Cu核壳纳米粉末为以金属铜为核层、金属M为壳层所结合而成的核壳成分；所述金属M包括Au、Ag、Ni。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔成强，杨斌，叶怀宇，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44