晶圆检测方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆检测方法，包括如下步骤：建立量测程式，依据量测程式对晶圆的表面进行量测，以得到晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离；获取量测过程中晶圆多个不同区域的焦距，并依据获取的多个焦距及晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离得到晶圆的表面与量测镜头之间的虚拟距离；获取晶圆的表面与检测镜头之间的实际距离；调整检测镜头，使得检测镜头与晶圆的表面之间的实际距离等于虚拟距离，并使用检测镜头对晶圆的表面进行检测。本发明专利技术的晶圆检测方法可以有效避免由于晶圆表面的高度差带来的nuisance的影响，从而确保检测的精度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测方法
本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种晶圆检测方法。
技术介绍
在现有的半导体工艺中，在对晶圆(wafer)执行一些半导体工艺步骤后，譬如，CMP(化学机械研磨)工艺、CVD(化学气相沉积工艺)或Etch(刻蚀)工艺等后，所述晶圆的表面将不再会是一个完全平整的表面，即此时所述晶圆的表面平整度将会比较差。然而，随着器件结构的关键尺寸(CD)的减小，尤其是当器件结构的关键尺寸小于45nm的情况下，晶圆表面的平整度将会严重影响检测机台的焦距(focus)，从而会影响检测的精度。以缺陷检测为例，缺陷检测机台的检测原理是上下相邻的芯片区域(die)或者是左右相邻的芯片区域对比，将差异超过预定值的图形认定为缺陷；由于特定的需求，检测机台的焦距是根据需求设定的，譬如，扫描表面，前一层或者为了减少颗粒缺陷(grain)故意轻微地散焦(defocus)；由于晶圆表面的平整度较差，晶圆表面具有高度差，在焦距固定的情况下，在不同高度的晶圆表面，得到的图形影像会存在失焦(outoffocus)，尤其是当器件结构的关键尺寸越来越小时，对检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述晶圆检测方法包括如下步骤：/n建立量测程式，依据所述量测程式对晶圆的表面进行量测，以得到所述晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离；/n获取量测过程中所述晶圆多个不同区域的焦距，并依据获取的多个所述焦距及所述晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离；/n获取所述晶圆的表面与检测镜头之间的实际距离；/n调整所述检测镜头，使得所述检测镜头与所述晶圆的表面之间的实际距离等于所述虚拟距离，并使用所述检测镜头对所述晶圆的表面进行检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述晶圆检测方法包括如下步骤：
建立量测程式，依据所述量测程式对晶圆的表面进行量测，以得到所述晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离；
获取量测过程中所述晶圆多个不同区域的焦距，并依据获取的多个所述焦距及所述晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离；
获取所述晶圆的表面与检测镜头之间的实际距离；
调整所述检测镜头，使得所述检测镜头与所述晶圆的表面之间的实际距离等于所述虚拟距离，并使用所述检测镜头对所述晶圆的表面进行检测。


2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，依据获取的多个所述焦距得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离包括如下步骤：
选取多个所述焦距中的最佳焦距；
依据所述最佳焦距得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离。


3.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，依据获取的多个所述焦距得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离包括如下步骤：
将多个所述焦距的平均值作为最佳焦距；
依据所述最佳焦距得到所述晶圆的表面与所述量测镜头之间的虚拟距离。


4.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，获取量测过程中所述晶圆3个不同区域的焦距；其中，所述晶圆的3个不同区域分别包括：位于所述晶圆中心的第一量测区域、位于所述晶圆最外侧的第二量测区域及位于所述第一量测区域与所述第二量测区域中心的第三量测区域。


5.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述量测镜头的最小量测区域的尺寸小于所述晶圆的尺寸，所述晶圆的表面包括多个所述最小量测区域；依据获取的多个所述焦距及各所述最小量测区域与量测镜头之间的实际距离得到各所述最小量测区域与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王通，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37