【技术实现步骤摘要】
感光性组合物及其制备方法、图案形成方法、应用
本专利技术属于光刻
,具体涉及一种感光性组合物及其制备方法、图案形成方法、应用。
技术介绍
光刻技术是指由抗蚀剂材料制成抗蚀剂膜,涂覆成型在基板上,使抗蚀剂膜通过其上形成有预定图案的掩模选择性的暴露于光或电子束的辐射中,然后执行显影工艺,在抗蚀剂膜上形成具有预定形状的抗蚀剂图案。其中将曝光部分改变为在显影剂中溶解的抗蚀剂材料称为正型,将暴露部分改变为在显影剂中不溶解的抗蚀剂材料称为负型。随着LSI的高集成度和高速度的需求,图案特征尺寸的精细化迅速发展。作为精细化技术,一般需要缩短曝光光源的波长(高能辐射),例如,已经由g线和i线为代表的紫外线,逐渐转换成KrF准分子激光器或ArF准分子激光器进行大规模生产半导体元件。另外,还有波长比这些准分子激光器短的F2准分子激光器、电子束、EUV(极端紫外线)和X射线。随着曝光光源的短波长化,要求抗蚀剂组合物提高光刻特性,以具备对曝光光源的高敏感度以及可再现微细尺寸图案形成的解析度。因此,抗蚀剂材料必须具备对上述曝光光源的灵敏度 ...
【技术保护点】
1.一种感光性组合物,其特征在于,包括以下原料:/n树脂组分和磺酸酯类光酸产生剂。/n
【技术特征摘要】
1.一种感光性组合物,其特征在于,包括以下原料:
树脂组分和磺酸酯类光酸产生剂。
2.根据权利要求1所述的感光性组合物,其特征在于,
所述树脂组分包括具有被保护基团保护的酸性基团的树脂;
所述酸性基团包括羧基、酚羟基中的至少一种;以及
所述酸性基团的含量占树脂组分含量的1-80%。
3.根据权利要求2所述的感光性组合物,其特征在于,
所述保护基团的分子式包括:
中的至少一种;其中
R3、R4、R5均表示具有C1-C6直链/支链的烷基或者具有C1-C10直链/支链的氟化烷基;以及R3、R4、R5中任何两个适于彼此键合成环;
R6,R7、R8均表示具有C1-C20的烃基;R6、R7、R8中的任何两个适于彼此键合成环;
R9表示具有C1-C6的直链/支链/环状烷基,且n为0或1。
4.根据权利要求1所述的感光性组合物,其特征在于,
所述磺酸酯光酸产生剂包括:苯酰亚胺磺酸酯,其结构式为:
其中
R1表示C1-C20的直链/支链的烷基或氟代烷基、C6-C18为取代或未取代的芳基、或樟脑基;
L表示C4-C18的含N、S或O的杂环基;
R2表示以下基团中的任一种:卤素、苯基、C7-C10的苯基烷基、R1′-CO-、R2′-CO-O-R3′-、C2-C6的直链/支链的烯基、以C6-C10的芳基为封端的C2-C4的烯基、C2-C6的直链/支链的炔基、C6-C10的芳基为封端的C2-C4的炔基、C1-C6的烷基磺酰氧基、C6-C10的芳基磺酰氧基;以及R1′表示C1-C6的烷基或苯基,R2′表示C1-C8的烷基或苯基,R3′表示C3-C4的炔基或无。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱晓春,胡春青,龚艳,
申请(专利权)人:常州强力先端电子材料有限公司,常州强力电子新材料股份有限公司,常州强力光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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