感光性树脂组合物、感光性干膜、图案化抗蚀剂膜、带铸模基板及镀敷造形物的制造方法技术

本发明专利技术提供了可适用于h线进行的曝光且镀敷液抗性优异的化学放大型正型感光性树脂组合物、具备由该化学放大型正型感光性树脂组合物构成的感光性树脂层的感光性干膜、该感光性干膜的制造方法、使用了所述化学放大型正型感光性树脂组合物的图案化的抗蚀剂膜的制造方法、使用了所述化学放大型正型感光性树脂组合物的带铸模基板的制造方法及使用了该带铸模基板的镀敷造形物的制造方法。含有通过活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂(A)和对碱的溶解性因酸的作用而增大的树脂(B)的化学放大型正型感光性树脂组合物中，产酸剂(A)包含具有特定的萘酰亚胺骨架的产酸剂,树脂(B)包含丙烯酸树脂。

【技术实现步骤摘要】
感光性树脂组合物、感光性干膜、图案化抗蚀剂膜、带铸模基板及镀敷造形物的制造方法
本专利技术涉及化学放大型正型感光性树脂组合物、具备由该化学放大型正型感光性树脂组合物构成的感光性树脂层的感光性干膜、该感光性干膜的制造方法、使用了所述化学放大型正型感光性树脂组合物的图案化的抗蚀剂膜的制造方法、使用了所述化学放大型正型感光性树脂组合物的带铸模基板的制造方法及使用了该带铸模基板的镀敷造形物的制造方法。
技术介绍
目前，光电加工(photofabrication)已经成为精密微细加工技术的主流。光电加工是指，将光致抗蚀剂组合物涂布在被加工物表面从而形成光致抗蚀剂层，利用光刻技术使光致抗蚀剂层图案化，并将图案化后的光致抗蚀剂层(光致抗蚀剂图案)作为掩模进行化学蚀刻、电解蚀刻，或者进行以电镀为主体的电铸等，来制造半导体封装等各种精密部件的技术的总称。此外，近年来，随着电子设备的小型化，半导体封装的高密度安装技术不断推进，正在谋求基于封装的多引脚薄膜安装化，封装尺寸的小型化，倒装芯片方式的2维安装技术、3维安装技术的安装密度的提高。在这样的高密本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学放大型正型感光性树脂组合物，含有：产酸剂(A)，通过照射活性光线或者放射线而产生酸；树脂(B)，对碱的溶解性因酸的作用而增大，/n所述产酸剂(A)包含选自以下述式(a1-i)或下述式(a1-ii)表示的化合物、以下述式(a2-i)或下述式(a2-ii)表示的化合物、以下述式(a3-i)或下述式(a3-ii)表示的化合物中的至少1种，/n【化1】/n

【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2432331.一种化学放大型正型感光性树脂组合物，含有：产酸剂(A)，通过照射活性光线或者放射线而产生酸；树脂(B)，对碱的溶解性因酸的作用而增大，
所述产酸剂(A)包含选自以下述式(a1-i)或下述式(a1-ii)表示的化合物、以下述式(a2-i)或下述式(a2-ii)表示的化合物、以下述式(a3-i)或下述式(a3-ii)表示的化合物中的至少1种，
【化1】



式(a1-i)及式(a1-ii)中，X1a是氧原子或硫原子，
R1a从由以下基团构成的组中选择：
可被1个以上的卤素原子取代的碳原子数为1以上18以下的脂肪族基团；
含有选自-S-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分且可被1个以上的卤素原子取代的、碳原子数为2以上18以下的脂肪族基团；
以下述式(a11)表示的基团；
【化2】
-R3a-Ar(a11)
以下述式(a12)表示的基团；以及
【化3】



以下述式(a13)表示的基团；
【化4】



所述式(a11)中，R3a为单键或者可以包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10a-构成的组中的至少1部分的、碳原子数为1以上20以下的脂肪族基团，
Ar是可具有选自卤素原子、脂肪族基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷硫基、二烷基氨基、酰氧基、酰基硫基、酰基氨基、烷氧基羰基、烷基磺酰基、烷基亚磺酰基、芳基、烷基芳基、氰基及硝基构成的组中的1种以上的取代基的芳香族基团，
所述式(a12)中，R4a及R5a分别独立地为碳原子数为1以上5以下的脂肪族基团，
Y1a是氧原子，
R6a为碳原子数为1以上10以下的脂肪族基团，
R7a为包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-、-O-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分的、碳原子数为1以上18以下的脂肪族基团，
所述式(a13)中，R8a为包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-及-O-C(＝O)-NR10a-构成的组中的至少1部分的、碳原子数为2以上18以下的脂肪族基团，
Y2a是氧原子，
R9a为包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-、-O-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分的、碳原子数为1以上18以下的脂肪族基团，
R10a及R11a分别为碳原子数为1以上10以下的脂肪族基团，在-C(＝O)-NR10aR11a中，R10a及R11a可以互为相同也可以不同，且也可以互相键合而形成脂环式基团，
R2a从以下基团构成的组中选择：
可被1个以上的卤素原子取代的碳原子数为1以上18以下的脂肪族基团；
包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-S-、-O-S(＝O)2-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-、-O-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分的、可被1个以上的卤素原子取代的碳原子数为3以上18以下的脂肪族基团；
可具有选自卤素原子、脂肪族基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷硫基、二烷基氨基、酰氧基、酰基硫基、酰基氨基、烷氧基羰基、烷基磺酰基、烷基亚磺酰基、芳基、烷基芳基、氰基及硝基构成的组中的1种以上的取代基的、碳原子数为4以上18以下的芳香族基团；及
被以下芳香族基团所取代而得的烷基：可具有选自卤素原子、脂肪族基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷硫基、二烷基氨基、酰氧基、酰基硫基、酰基氨基、烷氧基羰基、烷基磺酰基、烷基亚磺酰基、芳基、烷基芳基、氰基及硝基构成的组中的1种以上的取代基的、碳原子数为4以上18以下的芳香族基团，
【化5】



式(a2-i)～(a2-ii)中，R21a为从下述基团构成的组中选择的基团：
氢原子；
可被1个以上的卤素原子取代的碳原子数为1以上18以下的脂肪族基团；或者
可包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-S-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-、-O-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分的、可被1个以上的卤素原子取代的、碳原子数为2以上18以下的脂肪族基团，
R22a从以下基团构成的组中选择：-CH3、-CH2F、-CHF2、-CF3、或者可被1个以上的卤素原子取代的碳原子数为2以上18以下的脂肪族基团；
包含选自-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-S-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-O-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NR10a-、-O-C(＝O)-NR10a-及-C(＝O)-NR10aR11a构成的组中的至少1部分的、可被1个以上的卤素原子取代的、碳原子数为2以上18以下的脂肪族基团；
可具有选自卤素原子、脂肪族基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷硫基、二烷基氨基、酰氧基、酰基硫基、酰基氨基、烷氧基羰基、烷基磺酰基、烷基亚磺酰基、芳基、烷基芳基、氰基及硝基构成的组中的1种以上的取代基的、碳原子数为4以上18以下的芳香族基团；及
被以下芳香族基团取代而得的烷基：可具有选自卤素原子、脂肪族基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷硫基、二烷基氨基、酰氧基、酰基硫基、酰基氨基、烷氧基羰基、烷基磺酰基、烷基亚磺酰基、芳基、烷基芳基、氰基及硝基构成的组中的1种以上的取代基的、碳原子数为4以上18以下的芳香族基团，
其中，在R22a为-CF3的情况下，R21a从由下述基团构成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山翔太，海老泽和明，木村谦太，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP