一种引晶设备及引晶方法技术

本发明专利技术公开了一种引晶设备及引晶方法，所述引晶设备，包括用于在引晶过程中夹持籽晶的籽晶夹具和用于放置熔化的原料的坩埚；其中所述坩埚的上方设置有坩埚盖板，所述坩埚盖板中心位置设置有一通孔，所述通孔的孔径为45～60mm。所述引晶方法包括1)准备工作：将氧化铝原料放入坩埚中熔化，得到熔液；2)引晶：待熔液温度达到长晶速度为15～30min/2～2.5mm所对应的温度时，将籽晶在籽晶夹具的夹持下浸入到所述熔液液面下，使所述籽晶与所述熔液的液面做好完全熔接。本发明专利技术有效地提高了引晶质量，缩短了引晶时间，大大降低了生产成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种引晶设备及引晶方法
本专利技术涉及晶体材料制备
，具体涉及一种引晶设备及引晶方法。
技术介绍
泡生法是世界上公认的最适合生长大尺寸蓝宝石单晶的主流方法之一，将纯度为99.999％的高纯氧化铝原料放置在坩埚中加热至融化，调节炉温使坩埚内熔液上表面中心温度接近2050℃，通过引晶-扩肩-等径生长-收尾完成蓝宝石晶体的生长。引晶指的是在晶体生长过程中，通过籽晶插入熔汤等待一定时间后再向上提拉并通过观察晶体生长的大小来判断温度的高低，不间断的向上提拉的一个过程，直至找到合适的生长温度后到引晶完成。引晶分为下籽晶-烤晶-洗晶-试引-做盘-衔接-缩颈-扩盘-放肩，在引晶阶段或者放肩满屏过程中，引晶工艺的水平及引晶温度的变化，直接决定了晶体是否能完成正常生长的前提条件。目前引晶工艺分为宝塔式，复合式引晶，微量提拉法，此几种工艺方法对引晶时晶结初始温度要求不高且晶结长度较长，引晶时间较久，对引晶人员技术水平依赖过高，人为干扰因素较大，发生异常概率也就加大，极易造成晶体出现异常。晶体一旦出现气泡或多晶生长纹，不仅会造成晶体内部质量突变，而且更严本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引晶设备，其特征在于，包括用于在引晶过程中夹持籽晶的籽晶夹具和用于放置熔化原料的坩埚，其中所述坩埚上方设置有坩埚盖板，所述坩埚盖板中心位置设置有一通孔，所述通孔的孔径为45～60mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种引晶设备，其特征在于，包括用于在引晶过程中夹持籽晶的籽晶夹具和用于放置熔化原料的坩埚，其中所述坩埚上方设置有坩埚盖板，所述坩埚盖板中心位置设置有一通孔，所述通孔的孔径为45～60mm。


2.根据权利要求1所述的引晶设备，其特征在于，所述籽晶夹具包括夹具杆和设置于夹具杆一端的籽晶夹头，所述籽晶夹头上设置有用于放置籽晶的籽晶卡槽和籽晶夹具盖板，所述籽晶夹具盖板可拆卸地安装在所述籽晶夹头上。


3.根据权利要求1所述的引晶设备，其特征在于，采用所述籽晶夹具夹持的所述籽晶的长度为170～180mm。


4.根据权利要求2所述的引晶设备，其特征在于，所述夹具杆的长度介于67～73mm。


5.一种采用权利要求1-4任一所述引晶设备的引晶方法，其特征在于，包括：
1)准备工作：将氧化铝原料放入坩埚中熔化，得到熔液；
2)引晶：待所述熔液温度达到长晶速度为15～30min/2～2.5mm所对应的温度时，将所述籽晶在所述籽晶夹具的夹持下浸入到所述熔液液面下，使所述籽晶与所述熔液的液面做好完全熔接。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锋波，余剑云，王进学，陈建明，杨胜裕，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35