一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及单质钯薄膜制作方法技术领域，且公开了一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，所述方法包括钯前驱体和肼类还原性前驱体，钯前驱体可采用六氟乙酰丙酮钯Pd(hfac)2，肼类还原性前驱体可采用无水肼、甲基肼、乙基肼、丙基肼、叔丁基肼等等C1‑C5的烃链还原性前驱体，肼类还原剂结构式为R1R2N‑NR3R4，其中R1、R2、R3、R4包括氢原子、C1‑C5的烃链，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。本发明专利技术选用肼类还原剂为还原性前驱体，可以直接利用热型原子层沉积技术即可沉积单质钯薄膜，优于现有技术中所采用的等离子氢气、氧气、臭氧等气体，更方便、更安全、更容易操作，既可以避免等离子氢气、等离子氨气等操作上的不便，又可简化单质钯薄膜的制备工艺，节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法
本专利技术涉及单质钯薄膜制作方法
，具体为一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法。
技术介绍
近年来，贵金属和过渡金属由于具有某些独特和卓越的物理化学特性，如高熔点、高化学稳定性、高强度、良好的延展性、抗氧化性、耐腐蚀性、高催化活性以及良好的导电性，而广泛应用于微电子、光学、电极材料、燃料电池、气敏元件和航空航天等高新技术和军工技术的各个领域。钯薄膜具有广泛的纳米级应用。例如，它们可以用作纳米电子学中的金属触点或用作储能材料。纳米级Pd的催化性能也很受关注，例如在气体传感应用中。其中许多应用可受益于ALD的保形沉积，而低温工艺通常是首选，尤其是在涉及温度敏感材料时。目前制备金属薄膜的方法一般有物理气相沉积、电化学沉积、溶胶凝胶、卤化物化学气相沉积和金属有机物化学气相沉积等。其中最常用的是物理气相沉积和化学气相沉积，然而物理气相沉积法沉积温度高，在复杂形状部件表面成膜能力差，化学气相沉积在薄膜纯度和厚度精确控制方面有缺陷。目前制备金属单质钯薄膜的方法一般有物理气相沉积、电化学沉积、溶胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括钯前驱体和肼类还原性前驱体。/n

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括钯前驱体和肼类还原性前驱体。


2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：所述钯前驱体可采用六氟乙酰丙酮钯Pd(hfac)2。


3.根据权利要求1所述的一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：所述肼类还原性前驱体可采用无水肼、甲基肼、乙基肼、丙基肼、叔丁基肼等等C1-C5的烃链还原性前驱体，所述肼类还原剂结构式为R1R2N-NR3R4，其中R1、R2、R3、R4包括氢原子、C1-C5的烃链，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。


4.根据权利要求1所述的一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：所述方法反应温度为50-400℃，钯源Pd(hfac)2为钯前驱体，钯源加热温度为120℃，肼类为还原性源，加热温度为30-70℃，运输管路及ALD阀门的加热温度为150-200℃，保证前驱体源在气相下运输而不发生冷凝。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：江苏迈纳德微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32