【技术实现步骤摘要】
一种制备碳化硅致密复合材料的方法
本专利技术涉及复合材料领域,具体涉及一种制备碳化硅致密复合材料的方法。
技术介绍
在石墨件表面沉积碳化硅,通常采用甲基三氯硅烷为前驱体,发生化学气相沉积反应后得到碳化硅涂层,副产HCl气体。在某些特定的应用中,要求碳化硅涂层结合致密,可以阻止石墨件的部分杂质进入反应系统;另外,还要求碳化硅涂层结合紧密,耐磨性能好。例如,制备颗粒硅的流化床反应器通常具用石墨内衬,且在石墨内衬表面涂覆碳化硅涂层。在实际操作过程中会出现一个生产周期内,装置内需完成多个产品的碳化硅涂层沉积工作,且各产品的技术要求(例如碳化硅涂层厚度,均匀性等)均不相同,因此如何在一个生产周期内完成上述全部要求一直是业内的技术难题。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供一种制备碳化硅致密复合材料的方法,该方法包括:(1)材料清洗:将待沉积材料置于高纯水中超声清洗,之后干燥后待用;(2)表面除杂:将清洗后的待沉积材料经过高温将表面杂质形成金属卤化物升华除去;(3)沉积碳化硅:将除杂后的待沉积材料置于碳化硅沉积装置中的承载装置上,通过化学气相沉积反应在待沉积材料表面碳化硅的沉积;所述碳化硅沉积装置包括壳体、底盘和封盖;所述壳体包括外壳和内壳,以及设置于内壳和外壳之间的加热装置;所述底盘设置于所述壳体的下底面,所述底盘与壳体密封连接;所述封盖设置于所述壳体的上底面,所述封盖与壳体之间为活动连接;所述底盘上设有至少两个进气装置,所述封盖上设有若干个排气装置;所
【技术保护点】
1.一种制备碳化硅致密复合材料的方法,其特征在于,该方法包括:/n(1)材料清洗:将待沉积材料置于高纯水中超声清洗,之后干燥后待用;/n(2)表面除杂:将清洗后的待沉积材料经过高温将表面杂质形成金属卤化物升华除去;/n(3)沉积碳化硅:将除杂后的待沉积材料置于碳化硅沉积装置中的承载装置上,通过化学气相沉积反应在待沉积材料表面碳化硅的沉积;/n所述碳化硅沉积装置包括壳体、底盘和封盖;所述壳体包括外壳和内壳,以及设置于内壳和外壳之间的加热装置;所述底盘设置于所述壳体的下底面,所述底盘与壳体密封连接;所述封盖设置于所述壳体的上底面,所述封盖与壳体之间为活动连接;所述底盘上设有至少两个进气装置,所述封盖上设有若干个排气装置;/n所述进气装置包括进气管道和连接在所述进气管道上的喷嘴;所述喷嘴上方还对应设置有石墨罩;所述石墨罩内设置有承载装置,所述承载装置用于放置待沉积的待沉积材料;所述进气装置上设置有可以控制气体流量的气阀。/n
【技术特征摘要】
1.一种制备碳化硅致密复合材料的方法,其特征在于,该方法包括:
(1)材料清洗:将待沉积材料置于高纯水中超声清洗,之后干燥后待用;
(2)表面除杂:将清洗后的待沉积材料经过高温将表面杂质形成金属卤化物升华除去;
(3)沉积碳化硅:将除杂后的待沉积材料置于碳化硅沉积装置中的承载装置上,通过化学气相沉积反应在待沉积材料表面碳化硅的沉积;
所述碳化硅沉积装置包括壳体、底盘和封盖;所述壳体包括外壳和内壳,以及设置于内壳和外壳之间的加热装置;所述底盘设置于所述壳体的下底面,所述底盘与壳体密封连接;所述封盖设置于所述壳体的上底面,所述封盖与壳体之间为活动连接;所述底盘上设有至少两个进气装置,所述封盖上设有若干个排气装置;
所述进气装置包括进气管道和连接在所述进气管道上的喷嘴;所述喷嘴上方还对应设置有石墨罩;所述石墨罩内设置有承载装置,所述承载装置用于放置待沉积的待沉积材料;所述进气装置上设置有可以控制气体流量的气阀。
2.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅致密复合材料的方法,其特征在于,所述表面除杂的具体步骤为:
1)将清洗后的待沉积材料放入提纯装置内,抽真空置换,使真空度维持在0.01~1mbar;
2)开始通入氮气至真空度50~80mbar,炉筒内加热器加热至500~800℃;
3)持续升温至1700~2000℃,通入卤族气体至真空度80~120mbar,维持1700~2000℃若干分钟;
4)继续升温至1900~2200℃,维持1900~2200℃纯化2~12小时后,缓慢降温;
5)降温至1700~2000℃,停止通入卤族气体,并维持1700~2000℃若干分钟;
6)在保持通入氮气的情况下使真空度持续降低,继续降温至500~800℃时,沉积装置内真空度降至50~80mbar,停止通入氮气;
7)抽真空至0.01~1mbar,再通入氮气置换,维持炉压50~80mbar,炉内温度降至室温后,再通入氮气至0.9~1.2bar;
8)取出待沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员:于伟华,郭平春,王彬,刘淦,王新柱,
申请(专利权)人:于伟华,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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