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本发明涉及单质钯薄膜制作方法技术领域，且公开了一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，所述方法包括钯前驱体和肼类还原性前驱体，钯前驱体可采用六氟乙酰丙酮钯Pd(hfac)2，肼类还原性前驱体可采用无水肼、甲基肼、乙基肼、丙基肼、叔丁基肼等等...
该专利属于江苏迈纳德微纳技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏迈纳德微纳技术有限公司授权不得商用。

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