一种化学气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括外层反应管、内层反应管以及气体供应系统，所述外层反应管嵌套在所述内层反应管外侧，二者分别单独密封，所述外层反应管与所述内层反应管之间或者二者内部至少一处设置有连通结构，所述气体供应系统的进气端和回气端分别与所述外层反应管、内层反应管中的至少一个相连通，所述外层反应管、内层反应管左右两端的进/出气口交替作为气体供应入口。本实用新型专利技术结构简单，气体路径可调，优化了CVD法制备纳米薄膜材料的工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积设备
本技术涉及一种沉积设备，特别涉及一种化学气相沉积设备。
技术介绍
实现以石墨烯为代表的二维原子晶体类薄膜材料的高质量、大面积、均匀层厚的制备一直受到二维纳米材料研究领域的重点关注，目前已报道的石墨烯制备方法主要包括：微机械力剥离法、还原氧化石墨烯法、液相剥离法、碳化硅外延法以及化学气相沉积法(CVD)。其中，CVD方法凭借操作简单、生长参数可控性强、产品品质高、便于大规模生产等优势，已成为当前制备高品质、大面积石墨烯薄膜的主流方法。通过对石墨烯生长动力学过程分析发现，影响石墨烯生长速度及均匀性的主要因素是活性炭物种从气相向基底表面的输运过程。研究表明，反应腔内温度、气体流速和气体浓度分布均影响石墨烯生长的质量。现有技术中的CVD设备可以简单的分为管式炉加热部分和控制系统，控制系统主要是用来控制并检测炉体内部的气氛与压力。此类结构的CVD设备具有功能单一、可重复性差等缺陷，难以满足薄膜类材料的科学研究以及规模化制备需求。
技术实现思路
CVD法制备纳米薄膜材料时，气体流经的路径将影响样品生长的均匀性，会造成进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括外层反应管、内层反应管以及气体供应系统，所述外层反应管嵌套在所述内层反应管外侧，二者分别单独密封，所述外层反应管与所述内层反应管之间或者二者内部至少一处设置有连通结构，所述气体供应系统的进气端和回气端分别与所述外层反应管、内层反应管中的至少一个相连通，所述外层反应管、内层反应管左右两端的进/出气口交替作为气体供应入口。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括外层反应管、内层反应管以及气体供应系统，所述外层反应管嵌套在所述内层反应管外侧，二者分别单独密封，所述外层反应管与所述内层反应管之间或者二者内部至少一处设置有连通结构，所述气体供应系统的进气端和回气端分别与所述外层反应管、内层反应管中的至少一个相连通，所述外层反应管、内层反应管左右两端的进/出气口交替作为气体供应入口。


2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述气体供应系统包括气路系统(5)和压力系统(6)，所述压力系统(6)经由所述气路系统(5)分别通过所述进/出气口与所述外层反应管的两端、所述内层反应管的两端相连通，各所述进/出气口中的任意两个作为所述气体供应系统的进气端和回气端。


3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述外层反应管的两端、所述内层反应管的两端的每个所述进/出气口分别直接或间接连接至所述气路系统(5)和所述压力系统(6)，各个所述进/出气口与所述气路系统(5)和所述压力系统(6)之间设置截止阀，其连通由所述截止阀控制。


4.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述气体供应系统包括供气支路和回气支路；所述供气支路由所述气路系统(5)中供气源分别经由多个截止阀与所述外层反应管、所述内层反应管两端的各个所述进/出气口相连而成；所述回气支路由所述压力系统(6)通过所述截止阀分别与所述外层反应管、所述内层反应管两端的各个所述进/出气口相连而成；所述供气支路与所述回气支路的中部通过所述截止阀连通，以使得各个所述进/出气口均可以在所述截止阀的控制下分别连通所述气路系统(5)和所述压力系统(6)。


5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述气路系统(5)包括气罐一(51)、气罐二(52)和截止阀；所述气罐一(51)的左右两端分别通过间隔设置的截止阀F5、截止阀F2和截止阀F8、截止阀F13与所述内层反应管的两端管道相连；所述气罐二(52)的左右两端分别通过间隔设置的截...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辰宇，王慧慧，
申请(专利权)人：碳翁北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11