【技术实现步骤摘要】
一种硅光学薄膜的制备方法
本专利技术涉及光学薄膜
，特别涉及一种硅光学薄膜的制备方法。
技术介绍
单晶硅是现代科学技术中不可缺少的基本材料，我们日常生活中所用的电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等均离不开单晶硅材料。单晶硅光电转换效率较高，达17％左右，使其在太阳能电池中得到了较广泛地应用。单晶硅在波长为1100nm左右的红外区，单晶硅的折射率约为3.54，单晶硅开始呈现透明状态(其k值已小于0.5)，故在光电行业中也常作为“光电元件”的基底材料应用。但是单晶硅在制备光学薄膜材料领域中，尚未有广泛的应用，上述未广泛应用的主要原因在于硅光学薄膜的制备方法难题一直未获得较好的解决。现代的光电元件(光学元件)离不开光学薄膜，我国光学薄膜不再是上世纪六十、七十年代时的单层光学薄膜，可处理的波长范围仅在“可见光”；而是多层光学薄膜，少则几层、十几层，多则几十层到上百层的多层光学薄膜，光学薄膜的波长范围从紫外光、可见光一直到中红外。多层光学薄膜通常是由2～3种不同折射率的单层薄膜交替组成，以实现各种各样的光学性能乃至电学性能，...
【技术保护点】
1.一种硅光学薄膜的制备方法，其特征在于，采用单晶硅作为镀膜材料，采用物理气相沉积法制备硅光学薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅光学薄膜的制备方法，其特征在于，采用单晶硅作为镀膜材料，采用物理气相沉积法制备硅光学薄膜。
2.根据权利要求1所述的硅光学薄膜的制备方法，其特征在于，采用真空蒸发工艺制备硅光学薄膜。
3.根据权利要求2所述的硅光学薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、镀膜材料准备，称取单晶硅，将单晶硅放入电子枪的坩埚中，将待镀膜基片放置工件架的指定位置；
S2、镀膜前准备，启动抽真空系统，对真空室进行抽真空；启动基片烘烤系统和冷阱，基片烘烤系统对基片进行升温，冷阱捕集真空室内的水蒸气；
S4、预熔，真空室中的真空度达到第一预定值时，调节电子枪至第一预定束电流值，电子枪发出第一电子束对坩埚中的单晶硅进行照射；
S5、蒸发成膜，真空室中的真空度达到第二预定值时，增加电子枪功率至第二预定束电流值，电子枪发出第二电子束对坩埚中的单晶硅进行照射，单晶硅蒸发，石英晶体控制仪控制气态单晶硅以预定沉积速率在基片表面沉积；
S6、取件，镀膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱民稷，
申请(专利权)人：苏州市唯嘉光学有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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