【技术实现步骤摘要】
一种β-Ga2O3纳米线的制备方法
本专利技术涉及一种β-Ga2O3纳米线的制备方法。
技术介绍
β-Ga2O3是一种直接宽禁带半导体材料，禁带宽度在4.5-4.9eV之间，大于GaAs及GaN等第二代和第三代化合物半导体材料，具有击穿场强高以及化学性质稳定等特点，被认为是高效、大功率电力电子器件的优选材料。此外，β-Ga2O3由于具有高近紫外透过率、日盲波段光响应及气体敏感等诸多优良特性已在紫外透明电极、日盲探测器、气体传感器和平板显示等多个领域备受关注。近年来，一维纳米材料如纳米线、纳米棒和纳米带等除了展现出自身优于块体材料的比表面积外，还显示出了优于常规块体和薄膜材料的结晶质量，通常为单晶结构，因而在力学韧性、气体敏感性和光电性能上表现出了许多优异的性能，备受研究学者的关注。目前研究者已经采用脉冲激光沉积法、水热法以及射频磁控溅射等方法生长出了β-Ga2O3纳米材料，但目前从文献报道的结果来看，制备出的β-Ga2O3纳米结构取向性并不好，特别是纳米材料的横向可控生长，很难实现。因此，在纳米结构的制备方面需要突破一些传统的生长机理，尝试一些创新的生长方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种β-Ga2O3纳米线的制备方法。本专利技术通过下面技术方案实现：一种β-Ga2O3纳米线的制备方法，包括如下步骤：首先利用离子溅射仪在蓝宝石衬底上溅射一层金膜，金膜的厚度为16nm；选用纯度为99.99%的金属Ga作为源材料，取10-20份放在石英舟的中央位置，在Ga源的下方...
【技术保护点】
1.一种β-Ga
【技术特征摘要】
1.一种β-Ga2O3纳米线的制备方法，其特征在于包括如下步骤：首先利用离子溅射仪在蓝宝石衬底上溅射一层金膜，金膜的厚度为16nm；选用纯度为99.99%的金属Ga作为源材料，取10-20份放在石英舟的中央位置，在Ga源的下方平行摆放两个铂片，两个铂片之间的间隔为1.4cm，分别作为正负电极，将镀有金膜的蓝宝石衬底放在两个铂电极之间，两个铂片电极经铂丝与直流电源相连接，选用高纯度的氩气作为载气，流量为185-195mL/min，反应气体为氧气，电压为34-36V，生长温度设...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：启东市兴腾贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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