一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法，合金成分包括：Zr 0.05‑0.4wt％，Mg 0.05‑0.2wt％，Si 0.03‑0.15wt％，稀土0.01‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明专利技术还公开了一种该合金的制备方法，包括熔化、合金化、铸造、热轧、粗轧、时效、精轧、去应力退火和成品处理。本发明专利技术的铜锆合金在添加Mg、Si和稀土元素的综合作用影响下，同时兼备高强度、高导电性和优异的弯曲加工性，其制备方法易于工程化生产，且成本低，成品带材抗拉强度不小于560MPa、导电率不小于80％IACS，其产品可用于极大规模集成电路及大电流电子元件、散热部件。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法
本专利技术涉及有色金属加工
，具体涉及一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法。
技术介绍
铜锆合金具有高达90～95％IACS导电率且同时具有较高的耐热性，常作为高功率引线框架和电子连接器等电子元器件用铜合金。随着微电子、通讯、交通、航天、航空等高
的快速发展，电子元器件也向高集成化、小型化、薄壁化方向发展，电子元器件的传输量和发热量加大，这对铜合金材料提出了更高的要求，除了具备较高导电导热、耐热性能之外，还需要具有高的强度，急需要强度大于550MPa，同时导电率大于80％IACS的合金材料。铜锆合金尽管具有较高的导电导热和耐热性能，但其强度偏低，抗拉强度约为450MPa，这限制了其在日益增长的小型化电子元器件上的应用。在铜锆合金中，铜和锆易在晶界或晶体内缺陷位置析出中间相粒子，且尺寸较大、分布疏松，对合金强度贡献不大，所以强度较低。为提高铜锆合金的强度，需要引入其他强化方式。添加固溶强化元素或添加元素生成新的颗粒强化相是当前采用的主要方式。专利CN104718302B选用微量Ti元素、专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元器件用铜锆合金，其特征在于，其成分包括：Zr 0.05wt％-0.4wt％，Mg0.05wt％-0.2wt％，Si 0.03wt％-0.15wt％，稀土0.01wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素；其中，所述不可避免的杂质元素含量总和小于0.1wt％，Zr、Mg、Si元素质量百分比满足(Zr+Mg)/Si＞2。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件用铜锆合金，其特征在于，其成分包括：Zr0.05wt％-0.4wt％，Mg0.05wt％-0.2wt％，Si0.03wt％-0.15wt％，稀土0.01wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素；其中，所述不可避免的杂质元素含量总和小于0.1wt％，Zr、Mg、Si元素质量百分比满足(Zr+Mg)/Si＞2。


2.根据权利要求1所述的铜锆合金，其特征在于，所述不可避免的杂质元素包括Fe、P、Ti、Cr、Zn、Al、Ni。


3.根据权利要求1所述的铜锆合金，其特征在于，其成分包括：Zr0.1wt％-0.2wt％，Mg0.1wt％-0.2wt％，Si0.03wt％-0.1wt％，稀土0.03wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质。


4.根据权利要求1-3任一所述的铜锆合金，其特征在于，所述稀土元素为La、Ce、Y中的一种。


5.一种如权利要求1-3任一所述电子元器件用铜锆合金的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)熔化：将铜装入感应熔炼...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄花芬，张曦，向朝建，莫永达，黄东男，王金华，陈忠平，杨春秀，王虎，
申请(专利权)人：中铝材料应用研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11