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本发明公开了一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法，合金成分包括：Zr 0.05‑0.4wt％，Mg 0.05‑0.2wt％，Si 0.03‑0.15wt％，稀土0.01‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明还公开了一种该合...该专利属于中铝材料应用研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中铝材料应用研究院有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法，合金成分包括：Zr 0.05‑0.4wt％，Mg 0.05‑0.2wt％，Si 0.03‑0.15wt％，稀土0.01‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明还公开了一种该合...