一种电子部件用铜合金及其制备方法技术

一种电子部件用铜合金及其制备方法，铜合金成分包括：Cr 0.2～0.6wt％，Zr 0.02‑0.08wt％，Al 0.1‑0.2wt％，Ti 0.05‑0.15wt％，Si 0.03‑0.15wt％，B 0.02‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明专利技术采用的合金成分及其含量，能够降低非真空条件下的制备难度，提高合金的蚀刻性能和表面抗氧化性能，其制备方法易于实施，且成本低。本发明专利技术得到铜合金产品性能可达抗拉强度580‑650MPa，延伸率大于2％，电导率80‑88％IACS，可用于极大规模集成电路引线框架和小型化电子通讯连接器、端子、继电器等元件。

【技术实现步骤摘要】
一种电子部件用铜合金及其制备方法
本专利技术涉及有色金属加工
，具体涉及一种电子部件用铜合金及其制备方法。
技术介绍
随着微电子、通讯、交通、航天、航空等高
的快速发展，电子部件也向高集成化、小型化、薄壁化方向发展，电子部件的传输量和发热量加大，这对铜合金材料提出了更高的要求，除了具备足够强度以满足厚度减薄后的强度支撑需求外，还需要有高的导电导热性能，通电时难以产生焦耳热，并且易于散发产生的热量。同时，还需要有较高的耐热性能，确保高温下不发生软化。制备方式也大量采用蚀刻方式，需要具有较好的蚀刻性能。市场急需要强度达到约600MPa，同时导电率大于80％IACS的合金材料。Cu-Cr-Zr系合金是满足这些性能的理想材料，但由于Zr元素极易氧化烧损，很难在非真空条件下制备大规格方锭，这限制了其在日益增长的小型化电子部件上的广泛应用。非真空条件下，Cu-Cr-Zr合金铸造过程中炉内的Zr损失、半连铸熔体转移和结晶器内熔体的Zr损失，以及如何在铸锭全长范围内保证Zr的稳定，如何提高Zr元素的收得率，是现阶段面临的技术难题。常规做法是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子部件用铜合金，其特征在于，所述铜合金的成分包括：Cr 0.2wt％～0.6wt％，Zr 0.02wt％-0.08wt％，Al 0.1wt％-0.2wt％，Ti 0.05wt％-0.15wt％，Si0.03wt％-0.15wt％，B 0.02wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子部件用铜合金，其特征在于，所述铜合金的成分包括：Cr0.2wt％～0.6wt％，Zr0.02wt％-0.08wt％，Al0.1wt％-0.2wt％，Ti0.05wt％-0.15wt％，Si0.03wt％-0.15wt％，B0.02wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。


2.根据权利要求1所述的铜合金，其特征在于，所述铜合金的成分还包括其他元素，所述其他元素为Mg、Sn、Ag、Ni、Zn、Co中的一种或几种混合，所述其他元素总含量＜0.5wt％。


3.根据权利要求1所述的铜合金，其特征在于，所述铜合金的成分包括：Cr0.2wt％～0.4wt％，Zr0.03wt％-0.05wt％，Al0.1wt％-0.2wt％，Ti0.05wt％-0.15wt％，Si0.03wt％-0.15wt％，B0.02wt％-0.06wt％，余量为铜及不可避免的杂质元素。


4.一种如权利要求1-3任一所述的电子部件用铜合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)熔化：将铜装入感应熔炼炉，添加覆盖剂，在保护气氛下进行熔化，并对铜熔体除气精炼处理，将氧含量降低至40ppm以下；
(2)合金化：将中间合金加入铜熔体中，加入顺序为Cu-Cr、Cu-Si、Cu-B、Cu-Ti、Cu-Zr中间合金以及纯铝，得到铜合金熔体；
(3)铸造：对步骤(2)所得铜合金熔体进行铸造，铸造温度1...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄花芬，向朝建，张曦，莫永达，苗海滨，王金华，陈忠平，杨春秀，祝儒飞，
申请(专利权)人：中铝材料应用研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11