太阳能电池及其制备方法技术

本公开提供一种太阳能电池，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；形成在所述第一本征层上的掺杂层；形成在所述掺杂层上的前电极；形成在所述半导体衬底的第二侧的第二本征层；形成在所述第二本征层上的缓冲层；以及形成在所述缓冲层上的金属背电极。相应地，提供一种太阳能电池的制备方法。本公开中，采用缓冲层/金属背电极替代了传统HIT太阳能电池中的N型掺杂层/透明导电层，改善了电池的长波响应，提高了电池的短路电流密度，进而提高了电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法
本公开涉及太阳能发电
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
HIT(Hetero-junctionwithIntrinsicThinlayer，本征薄膜异质结)太阳能电池指的是异质结非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶体硅基板和各种薄膜制成的混合型太阳能电池。由于HIT太阳能电池具有较高的光电转换效率，较低的温度系数和相对简单的制备技术，目前已经成为光伏行业研究和开发的热门技术，是最近几年来光伏行业中太阳能电池发展的趋向，是目前主流的高效太阳能电池技术之一。如图1所示，传统的HIT太阳能电池典型结构为：从受光面至背光面依次设置的TCO(TransparentConductiveOxide，透明导电氧化物)前电极101、P型氢化非晶硅层102、本征型氢化非晶硅层103、N型硅衬底104、本征型氢化非晶硅层105、N型氢化非晶硅层106和TCO背电极107。专利技术人发现，传统的HIT太阳能电池的光电转换效率虽然高，但其中N型掺杂层(即N型氢化非晶硅层106)与透明导电层(即TCO背电极10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；/n形成在所述第一本征层上的掺杂层；/n形成在所述掺杂层上的前电极；/n形成在所述半导体衬底的第二侧的第二本征层；/n形成在所述第二本征层上的缓冲层；以及/n形成在所述缓冲层上的金属背电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；
形成在所述第一本征层上的掺杂层；
形成在所述掺杂层上的前电极；
形成在所述半导体衬底的第二侧的第二本征层；
形成在所述第二本征层上的缓冲层；以及
形成在所述缓冲层上的金属背电极。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层采用功函数低于4.0eV的材质。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层采用禁带宽度大于3.0eV的材质。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材质为LiF、Ce2(CO3)3或NaF。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度满足隧穿效应的实现。


6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为1nm～10nm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：方亮，曾燕，彭敏，张皓，
申请(专利权)人：成都珠峰永明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51