一种异质结电池片的返工方法技术

本发明专利技术公开了一种异质结电池片的返工方法，包括如下步骤：(1)将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀，所述异质结电池片设置有辅助电极栅线；(2)腐蚀完毕后，将电池片取出并进行后处理。本发明专利技术通过在电池片边缘设置的辅助电极栅线，并利用高浓度碱腐蚀容易的各向同性反应原理，成功地去除了电池片边缘绕镀端的硅薄膜掺杂层，解决了电池片边缘短路引起的电，将电池参数不良的异结质电池片变废为宝，提升了产线电池片的良品率，降低生产成本，且不会造成电池片本身的外观不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池片的返工方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是指一种异结质电池片的返工方法。
技术介绍
SHJ电池片(SiliconHetero-junctionSolarCell，硅异质结太阳能电池片，简称异质结电池片)的基本结构如图1所示，包含单晶硅片1a、本征非晶硅基薄膜层2a、n型掺杂层3a、p型掺杂层极4a、透明导电薄膜层5a和电极栅线6a(通常包括主栅线和细栅线)：其中，单晶硅片1a可以是n型或者p型单晶硅片，厚度为90-300μm；本征非晶硅基薄膜层2a，如非晶硅本征层a-Si:H(i)，非晶硅氧本征层a-SiOx:H(i)，非晶硅碳本征层a-SiCx:H(i)等，厚度<15nm；n型掺杂层3a，如n型非晶硅层a-Si:H(n)，n型非晶硅氧层a-SiOx:H(n)，n型微晶硅氧层μc-SiOx:H(n)等，厚度<25nm；p型发射极4a，如p型非晶硅层a-Si:H(p)，p型微晶硅层μc-SiOx:H(p)，p型微晶硅氧层μc-SiOx:H(p)等，厚度<25nm；可选的，3a和4a的位置可以置换。即：如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结电池片的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀，所述异质结电池片设置有辅助电极栅线；/n(2)腐蚀完毕后，将电池片取出并进行后处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池片的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀，所述异质结电池片设置有辅助电极栅线；
(2)腐蚀完毕后，将电池片取出并进行后处理。


2.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在所述步骤中，所述辅助电极栅线的设置与所述异质结电池片上的主栅线和细栅线的设置同时进行。


3.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在所述步骤中，所述辅助电极栅线沿所述异质结电池片的边缘设置一周。


4.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在所述步骤中，在所述异质结电池片的正面和背面均设置有所述辅助电极栅线。


5.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在所述步骤中，所述辅助电极栅线到所述异质结电池片的边缘的距离为1-2mm。


6.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在所述步骤中，所述辅助电极栅线为...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁操，刘春梅，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11