背电极结构和晶硅电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种背电极结构和晶硅电池，所述背电极结构，包括背电极本体，所述背电极本体包括电极区和镂空区，所述镂空区为多个，且多个所述镂空区呈矩阵排列，相邻行/列的镂空区交错分布。该背电极结构可以降低背电极浆料的损耗，提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
背电极结构和晶硅电池
本技术涉及太阳能电池
，尤其是涉及一种背电极结构和晶硅电池。
技术介绍
晶硅电池片的主栅数量经历了从2BB逐步演变到5BB、MBB，自2017年以来，市场上纷纷推出MBB电池片，这种电池因主栅数量的增加，可以缩短电流在细栅上的传导距离，减少电阻损耗，提高电池效率，以及进一步地提升电池组件的功率输出。另一方面，PERC技术已发展成熟，通过将MBB与半片技术叠加，可以减少正银浆料的损耗，降低生产成本，且叠加半片技术可以有效提高组件功率，同时，设计多主栅可以减少电池片隐裂的发生，减少碎片率，因此，对于mbb电池的降本增效项目是不可或缺的。相关技术中，对于背银浆料单耗有降低空间，可通过设计新网版图纸，在降低背银浆料单耗的同时，保证电池片效率持平或略有提升。但是，现在量产MBB电池的背银浆料单耗较高，在不影响效率等其他性能前提下仍有降本空间。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种背电极结构，采用该背电极结构，可以降低背电极浆料的损耗，提高光电转换效率。本技术的目的之二在于提出一种晶硅电池。为了解决上述问题，本技术第一方面实施例的背电极结构，包括背电极本体，所述背电极本体包括电极区和镂空区，所述镂空区为多个，且多个所述镂空区呈矩阵排列，相邻行/列的镂空区交错分布。根据本技术实施例的背电极结构，通过在背电极本体上设计镂空区，从而在印刷背电极浆料时，在背电极结构上除背电极本体外的位置和电极本体内的镂空区处均印刷铝浆，以形成铝背场，以及在电极本体的电极区印刷银浆，以形成银电极，因此，相较于未作镂空区的背电极结构，本技术在印刷时，无需在背电极本体的镂空区处印刷背银浆料，从而使背电极结构上印刷背银浆料的面积减小，降低背电极浆料损耗，同时，背银浆料印刷面积的减小，也使得银浆对背电极结构钝化层的腐蚀面积也减少，从而提高晶硅电池效，以及相邻行/列的镂空区交错分布，可以使得背电极印刷效果更加贴合、均匀。在一些实施例中，多个所述镂空区呈4×11阵列、3×9阵列中的任意一种阵列分布。在一些实施例中，所述镂空区呈梯形、圆、椭圆、方形、三角形中的任意一种。在一些实施例中，所述镂空区为方形，且所述镂空区的面积为(0.2*0.2)cm2。在一些实施例中，所述镂空区为方形，且所述镂空区的面积为(0.3*0.25)cm2。在一些实施例中，所述背电极本体的宽度范围在1.6cm-2.2cm。本技术第二方面实施例提供一种晶硅电池，包括P型硅片，所述P型硅片上设置上述实施例所述的背电极结构。根据本技术实施例的晶硅电池，通过采用上述实施例提供的背电极结构，可以降低单耗，提高晶硅电池的光电转换效率。在一些实施例中，所述P型硅片的每条背电极栅线相应位置设置有分段分布的多个所述背电极结构的背电极本体。在一些实施例中，每条所述背电极栅线相应位置的所述背电极本体为6分段。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本技术一个实施例的背电极结构的示意图；图2是根据本技术一个实施例的背电极本体的示意图；图3是根据本技术一个实施例与BSL产品中的背电极本体的对比示意图；图4是根据本技术一个实施例与BSL产品测得的湿重数据图；图5是根据本技术一个实施例与BSL产品测得的拉力对比图；图6是根据本技术一个实施例的晶硅电池的结构框图。附图标记：背电极结构10；晶硅电池20；背电极本体1；电极区2；镂空区3；P型硅片4。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本技术的实施例。为了解决上述问题，下面参考附图描述根据本技术实施例的背电极结构，该背电极结构可以降低背电极浆料的损耗，提高光电转换效率。图1为本技术一个实施例的背电极结构的示意图。如图1所示，背电极结构10包括背电极本体1。其中，背电极本体1包括电极区2和镂空区3，如图2所示，背电极结构10上设置有多个镂空区3，以及，多个镂空区3呈矩阵排列，且相邻行/列的镂空区3交错分布，从而可以使得印刷的铝浆更加均匀贴合，提高印刷效果，其中，在不影响效率等其他性能的前提下，为使背电极浆料的损耗达到最低，可以根据实际情况适当地设置镂空区3的个数，对此不作限制。具体地，如图1所示，为背电极结构10的示意图，在制备背电极结构10时，其采用的背电极网版的图案与图1所示的背电极结构10的图案相反，在印刷背电极浆料时，背电极网版上会设置有多个网孔，用于在将背电极网版放置于背电极结构10以制备铝背场时，可以使铝浆透过背电极网版上所设置的网孔到达背电极结构10，同时，背电极网版上也设置有与镂空区3位置相对应的镂空形状，铝浆也可以透过背电极网版的镂空形状印刷在背电极结构10上，以形成镂空区3，从而在图1所示的背电极结构10的空白区域内制备成铝背场，也就是背电极结构10中除背电极本体1以外的区域和背电极本体1内的镂空区3均为会有铝背场存在，而背电极网版中中与背电极结构10的电极区2相对应的位置，在印刷时，由于背电极网版在此位置有遮挡，而不能透过铝浆，所以背电极结构10的电极区2未形成铝背场，进而在电极区2处印刷银浆，进行烧结，以形成银电极，也就是仅需在背电极本体1的电极区2处印刷银浆即可，而无需使背电极本体1全部印刷银浆，即在背电极本体1的镂空区3处无需印刷银浆，从而降低背银浆料的损耗。根据本技术实施例的背电极结构10，通过在背电极本体1上设计镂空区3，从而在印刷背电极浆料时，在背电极结构10上除背电极本体1外的位置和背电极本体1内的镂空区3处均印刷铝浆，以形成铝背场，以及在背电极本体1的电极区2印刷银浆，以形成银电极，因此，相较于未作镂空区的背电极结构，本技术在印刷时，无需在背电极本体1的镂空区3处印刷背银浆料，只需在电极区2处印刷银浆即可，从而使背电极结构10上印刷背银浆料的面积减小，降低背电极浆料损耗，同时，背银浆料印刷面积的减小，也使得银浆对背电极结构10钝化层的腐蚀面积也减少，提高晶硅电池效率，同时，本技术设置多个镂空区22呈交错分布，也使得在印刷背电极浆料时，印刷效果更加均匀贴合。进一步地，本技术背电极结构10设置的背电极本体1的宽度范围为1.6cm-2.2cm，如背电极本体1的宽度可以为1.6cm或1.8cm或2.0cm等，如图3所示，其中，方案1和方案2均为背电极本体1宽度为2.2cm的示意图，相较于现有BSL产品背电极本体的宽度为2.4cm，方案1和方案2的背电极本体1的宽度设计相对缩短0.2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背电极结构，其特征在于，包括背电极本体，所述背电极本体包括电极区和镂空区，所述镂空区为多个，且多个所述镂空区呈矩阵排列，相邻行/列的镂空区交错分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种背电极结构，其特征在于，包括背电极本体，所述背电极本体包括电极区和镂空区，所述镂空区为多个，且多个所述镂空区呈矩阵排列，相邻行/列的镂空区交错分布。


2.根据权利要求1所述的背电极结构，其特征在于，多个所述镂空区呈4×11阵列、3×9阵列中的任意一种阵列分布。


3.根据权利要求1所述的背电极结构，其特征在于，所述镂空区呈梯形、圆形、椭圆形、方形、三角形中的任意一种。


4.根据权利要求1所述的背电极结构，其特征在于，所述镂空区为方形，且所述镂空区的面积为(0.2*0.2)cm2。


5.根据权利要求1所述的背电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雪梅，张飞，蒋天琪，周彬，衡阳，潘励刚，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32