背电极结构和晶硅电池制造技术

技术编号:24780512 阅读:115 留言:0更新日期:2020-07-04 21:03
本实用新型专利技术公开了一种背电极结构和晶硅电池,所述背电极结构,包括背电极本体,所述背电极本体包括电极区和镂空区,所述镂空区为多个,且多个所述镂空区呈矩阵排列,相邻行/列的镂空区交错分布。该背电极结构可以降低背电极浆料的损耗,提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
背电极结构和晶硅电池
本技术涉及太阳能电池
,尤其是涉及一种背电极结构和晶硅电池。
技术介绍
晶硅电池片的主栅数量经历了从2BB逐步演变到5BB、MBB,自2017年以来,市场上纷纷推出MBB电池片,这种电池因主栅数量的增加,可以缩短电流在细栅上的传导距离,减少电阻损耗,提高电池效率,以及进一步地提升电池组件的功率输出。另一方面,PERC技术已发展成熟,通过将MBB与半片技术叠加,可以减少正银浆料的损耗,降低生产成本,且叠加半片技术可以有效提高组件功率,同时,设计多主栅可以减少电池片隐裂的发生,减少碎片率,因此,对于mbb电池的降本增效项目是不可或缺的。相关技术中,对于背银浆料单耗有降低空间,可通过设计新网版图纸,在降低背银浆料单耗的同时,保证电池片效率持平或略有提升。但是,现在量产MBB电池的背银浆料单耗较高,在不影响效率等其他性能前提下仍有降本空间。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术的一个目的在于提出一种背电极结构,采用该背电极结构,可以降低背电极浆料的损耗,提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背电极结构,其特征在于,包括背电极本体,所述背电极本体包括电极区和镂空区,所述镂空区为多个,且多个所述镂空区呈矩阵排列,相邻行/列的镂空区交错分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种背电极结构,其特征在于,包括背电极本体,所述背电极本体包括电极区和镂空区,所述镂空区为多个,且多个所述镂空区呈矩阵排列,相邻行/列的镂空区交错分布。


2.根据权利要求1所述的背电极结构,其特征在于,多个所述镂空区呈4×11阵列、3×9阵列中的任意一种阵列分布。


3.根据权利要求1所述的背电极结构,其特征在于,所述镂空区呈梯形、圆形、椭圆形、方形、三角形中的任意一种。


4.根据权利要求1所述的背电极结构,其特征在于,所述镂空区为方形,且所述镂空区的面积为(0.2*0.2)cm2。


5.根据权利要求1所述的背电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨雪梅张飞蒋天琪周彬衡阳潘励刚
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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