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本实用新型公开了一种背电极结构和晶硅电池，所述背电极结构，包括背电极本体，所述背电极本体包括电极区和镂空区，所述镂空区为多个，且多个所述镂空区呈矩阵排列，相邻行/列的镂空区交错分布。该背电极结构可以降低背电极浆料的损耗，提高光电转换效率。...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司授权不得商用。