一种电极的加工方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述加工方法包括：在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；在所述第二区域覆盖导电层。采用本发明专利技术实施例提供的加工方法加工的电极的性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种电极的加工方法
本专利技术涉及光伏发电
，尤其涉及一种电极的加工方法。
技术介绍
太阳能薄膜电池包括发电膜层和贴合于发电膜层上的电极(包括前电极和/或背电极)，其中，电极包括导电层，为便于生产和安装，该导电层通常叠设于基板上。在相关技术中，为了减少太阳能薄膜电池中各膜层不均匀而对电池的性能产生的不利影响。采用激光刻划的方式分别切割太阳能薄膜电池中的各个膜层，以将太阳能薄膜电池分割成众多子电池。其中，利用激光刻划的方式在电极上划线，以将电极分割成预设尺寸。但是，由于激光刻划过程中将会产生大量的热量，影响电极的导电性能，同时还造成电极被分割的周沿参差不齐。从而在电极与发电膜层贴合后，电极上参差不齐的周沿将扎入发电膜层内，造成发电膜层内部短路甚至穿透发电膜层，降低了电极的性能。由此可知，相关技术中加工电极的方法存在使电极的性能差的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电极的加工方法，以解决相关技术中加工电极的方法存在的使电极的性能差的问题。为解决以上技术问题，本专利技术采用如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述方法包括：在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；在所述第二区域覆盖导电层。可选的，所述对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括：在所述负性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述负性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；在所述光刻板的远离所述负性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。可选的，所述在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶的步骤，包括：在光照处理后，使用第一显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；所述在所述第二区域覆盖导电层的步骤，包括：在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，其中，所述第一区域对应的负性光刻胶夹设于所述导电层与所述基板之间；使用第二显影液对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的导电层脱离所述第二区域对应的导电层。可选的，所述在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层的步骤，包括：采用物理气相沉积PVD镀膜技术，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧镀上一层导电层。第二方面，本专利技术实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述方法包括：在基板的一表面覆盖导电层，在所述导电层的远离所述基板的一侧覆盖正性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；在光照处理后，对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的正性光刻胶；去除所述第一区域对应的导电层。可选的，所述对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括在所述正性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述正性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；在所述光刻板的远离所述正性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：使用腐蚀液对所述第一区域对应的导电层进行第二预设时间长度的腐蚀处理，其中，所述腐蚀液与所述基板和所述正性光刻胶不反应。可选的，所述导电层为钼金属导电层，所述腐蚀液包括硫酸溶液和/或双氧水溶液。可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：将叠设的所述基板、所述导电层以及所述正性光刻胶放入溅射设备，使所述溅射设备内的离子体与所述第一区域对应的导电层反应，以将所述第一区域对应的导电层转化为活性基团后脱离所述基板。可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层之后，所述方法还包括：使用第三显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的正性光刻胶。在本专利技术实施例中，先利用光刻技术和显影技术使光刻胶呈预设形状，然后根据该预设形状使电极中的导电层呈与光刻胶匹配的形状，从而达到在划分导电层的过程中，避免了导电层受到机械切割或者激光切割而使其边缘突出于导电层或者使其边缘因受热而降低性能的问题，从而提升了电极的整体性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种电极的加工方法的流程图；图2是现有技术中电极的结构图；图3a是本专利技术实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之一；图3b是本专利技术实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之二；图3c是本专利技术实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之三；图3d是本专利技术实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之四；图4是本专利技术实施例提供的另一种电极的加工方法的流程图；图5a是本专利技术实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之一；图5b是本专利技术实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之二；图5c是本专利技术实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之三。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例中提供的两种加工方法的原理相同，均利用光刻技术使光刻胶在光照后呈现不同化学性质；从而便于去除抗腐蚀性较差部分的光刻胶，并使导电层呈现与光刻胶匹配的形状，以将导电层划分为多块，用于解决导电层厚度不均匀而降低太阳能薄膜电池的性能的问题。其中，光刻胶又可以称之为光致抗蚀剂，其包括正性光刻胶和负性光刻胶。其中，正性光刻胶本身难溶于显影液，在曝光之后，形成一种溶于显影液的结构，例如：邻-叠氮醌类光刻胶。正性光刻胶使用的显影液可以是碱性溶液，例如：四甲基氢氧化铵(TetraMethylAmmoniumHydroxide，TMAH)、重量百分数为6.71％的四丁基氢氧化铵(TetraButylAmmoniumHydroxide，TBAH)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，其特征在于，所述方法包括：/n在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；/n对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；/n在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；/n在所述第二区域覆盖导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，其特征在于，所述方法包括：
在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；
对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；
在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
在所述第二区域覆盖导电层。


2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括：
在所述负性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述负性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述负性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。


3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶的步骤，包括：
在光照处理后，使用第一显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
所述在所述第二区域覆盖导电层的步骤，包括：
在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，其中，所述第一区域对应的负性光刻胶夹设于所述导电层与所述基板之间；
使用第二显影液对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的导电层脱离所述第二区域对应的导电层。


4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层的步骤，包括：
采用物理气相沉积PVD镀膜技术，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧镀上一层导电层。


5.一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，李新连，赵树利，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11