一种光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻方法，属于集成电路制作领域。它通过在确定沉积区的衬底上先涂覆厚度大于待沉积金属层厚度、灵敏度较高的光刻胶以形成第一光刻胶层，再涂覆灵敏度较低的光刻胶以形成第二光刻胶层，并通过一次曝光界定出位置与沉积区相对应的待溶解区域，该待溶解区域包括位于所述第一光刻胶层的第一区域和位于所述第二光刻胶层的第二区域，再利用显影液等溶解去除第一区域和第二区域的光刻胶以暴露出沉积区，然后再沉积金属材料，则在沉积区形成的金属层和第二光刻胶层表面以及侧壁的金属材料残留物之间无粘黏现象，因此，沉积金属材料之后再去剥离第一光刻胶层和第二光刻胶层时，沉积区的金属层即不会发生撕裂的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻方法
本专利技术属于集成电路制作领域，更具体地说，涉及一种光刻方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，IC器件的集成度不断提高，特征尺寸也变得越来越小。因而，对集成电路制造工艺的要求也越来越严格，微小的工艺偏差都会导致器件性能的变化，进而使整体电路偏离设计要求。其中，光刻工艺主要包括涂胶-前烘-曝光-显影-坚膜-刻蚀-去胶等步骤，它主要是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线等目的。但是，目前的相关光刻工艺技术通过显影、刻蚀以在衬底表面形成所需的沉积区，采用电子束沉积金属的方式，并且在沉积区以及未刻蚀的区域均会形成金属层，而后续去胶剥离未蚀刻区金属层的过程中极易导致沉积区金属层发生撕裂，从而影响金属层的形貌特征，进而影响了集成电路的性能。
技术实现思路
针对相关光刻工艺技术在去胶剥离的过程中，易导致沉积区的金属层发生撕裂的问题，本专利技术提供一种光刻方法，它包括：确定衬底上的沉积区、以及所述沉积区上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：/n确定衬底(1)上的沉积区(6)、以及所述沉积区(6)上待沉积金属层的厚度；/n在所述衬底(1)上构建第一光刻胶层(2)，其中，所述第一光刻胶层(2)的厚度大于所述待沉积金属层的厚度；/n在所述第一光刻胶层(2)上构建第二光刻胶层(3)，其中，所述第二光刻胶层(3)的灵敏度比所述第一光刻胶层(2)的灵敏度低；/n曝光所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)以界定出待溶解区域，所述待溶解区域的位置与所述沉积区(6)的位置相对应，其中，所述待溶解区域包括位于所述第一光刻胶层的第一区域和位于所述第二光刻胶层的第二区域，且所述第二区域的尺寸不小于所述沉积区(...

【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
确定衬底(1)上的沉积区(6)、以及所述沉积区(6)上待沉积金属层的厚度；
在所述衬底(1)上构建第一光刻胶层(2)，其中，所述第一光刻胶层(2)的厚度大于所述待沉积金属层的厚度；
在所述第一光刻胶层(2)上构建第二光刻胶层(3)，其中，所述第二光刻胶层(3)的灵敏度比所述第一光刻胶层(2)的灵敏度低；
曝光所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)以界定出待溶解区域，所述待溶解区域的位置与所述沉积区(6)的位置相对应，其中，所述待溶解区域包括位于所述第一光刻胶层的第一区域和位于所述第二光刻胶层的第二区域，且所述第二区域的尺寸不小于所述沉积区(6)的尺寸；
溶解去除所述第二区域和所述第一区域以暴露出所述沉积区(6)；
沉积金属材料，在所述沉积区(6)上形成金属层；
剥离所述第一光刻胶层(2)和所述第二光刻胶层(3)。


2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述衬底(1)上构建第一光刻胶层(2)的方法包括：
氮气吹扫所述衬底(1)；
预烘烤所述衬底(1)；
在所述衬底(1)上涂覆第一光刻胶；
在160～200℃下烘烤2～10min后冷却制得所述第一光刻胶层(2)。


3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述第一光刻胶层(2)上构建第二光刻胶层(3)的方法包括：
在所述第一光刻胶层(2)上涂覆第二光刻胶；
在110℃～120℃下烘烤1～3min后冷却制得所述第二光刻胶层(3)。


4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述曝光所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)以界定出待溶解区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇杰，
申请(专利权)人：合肥本源量子计算科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34