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本发明公开了一种光刻方法，属于集成电路制作领域。它通过在确定沉积区的衬底上先涂覆厚度大于待沉积金属层厚度、灵敏度较高的光刻胶以形成第一光刻胶层，再涂覆灵敏度较低的光刻胶以形成第二光刻胶层，并通过一次曝光界定出位置与沉积区相对应的待溶解区域，...
该专利属于合肥本源量子计算科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥本源量子计算科技有限责任公司授权不得商用。

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