可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法技术

本申请提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法，微器件排列结构，包括衬底、位于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的一侧，以及与微LED芯片的第一电极和/或第二电极电性连接的扩展电极，扩展电极的面积较大，且一个扩展电极同时电性连接2‑4个微LED芯片的电极。由于扩展电极的面积较大，使得微LED芯片能够使用探针进行光电性能测试；而扩展电极同时连接2‑4个微LED芯片的电极，使得测试过程中，探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动次数减少，从而能够节约测试时间；同时避免因为串联或并联时，由于坏点造成测试误差，提高了测试的准确度。

【技术实现步骤摘要】
可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法。
技术介绍
LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件，保证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础，在LED芯片的生产加工完成后，需要对芯片进行光电性能测试，以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行测试，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。随着LED的发展，MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术，通过将LED芯片微小化使用，作为显示面板使用，但是现有技术中的自动测试机上探针无法对MiniLED和MicroLED微器件进行光电测试。现有技术采用将芯片电极采用电极条整体引出，使得多个LED芯片并联或串联，批量测试、收集阵列芯片的光电数据，但是这样的检测准确性较低。而逐一引出大电极使用探针按照传统的方法逐一对芯片进行测试，则会占据较多晶圆有效面积，且由于一片晶圆上芯片的数量非常大，这无疑会耗费大量的时间。因此，如何提供一种检测准确度与测试耗时能够折中，且占用有效面积较小的适用于微器件光电性能检测的结构和测试方法成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法，以解决现有技术中批量测试微器件效率高但准确度低、逐个测试微器件准确度高但效率低且占用有效面积较大的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种可测试的微器件排列结构，包括：衬底；位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；其中，一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。优选地，还包括：平坦化层和阻挡层；所述平坦化层位于所述衬底表面，且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上，且暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极。优选地，所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面。优选地，一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极。优选地，呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第一微LED芯片和第二微LED芯片；同一列中，所述第一微LED芯片的第一电极和位于其下方的第二微LED芯片的第一电极连接同一扩展电极；所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。优选地，同一行中，每个所述微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。优选地，一个扩展电极连接三个微LED芯片的电极；呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第三微LED芯片、第四微LED芯片和第五微LED芯片；其中，第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极；第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。优选地，一个扩展电极连接四个微LED芯片的电极；呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第六微LED芯片和第七微LED芯片；其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第i-1列的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；第i列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极，与第i+1列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。优选地，所述阻挡层的材料为光刻胶、二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺。本专利技术还提供一种可测试的微器件排列结构制作方法，所述微器件排列结构制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上制作形成呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；形成多个扩展电极，其中，所述扩展电极位于所述微LED芯片背离所述衬底的一侧，且所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；其中，所述扩展电极的面积大于一个所述第一电极和一个所述第二电极的面积之和，且一个扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极。优选地，在形成多个扩展电极之前还包括：形成平坦化层，所述平坦化层位于多个所述微LED芯片之间，所述平坦化层的厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；在所述平坦化层上形成阻挡层，所述阻挡层上设置有通孔，暴露出所述微LED芯片的第一电极和第二电极。另外，本专利技术还提供一种可测试的微器件排列结构的测试方法，基于上面几项扩展电极连接两个或四个电极的可测试的微器件排列结构，所述测试方法包括：提供第一探针和第二探针；沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第一探针施加在一个微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第二探针施加在所述微LED芯片的第二电极连接的扩展电极上；对所述微LED芯片进行光电参数测试；沿所述列方向，移动所述第一探针至另一个扩展电极上，所述另一个扩展电极与所述第二探针所在的扩展电极形成回路，用于对另一个微LED芯片进行光电参数测试；再沿所述列方向，移动所述第二探针至再一个扩展电极上，所述再一个扩展电极与所述第二探针所在的扩展电极形成回路，用于对再一个微LED芯片进行光电参数测试；依次重复移动所述第一探针至另一个扩展电极上，移动所述第二探针至再一个扩展电极上，完成微器件排列结构的测试。对于扩展电极同时连接三个电极的可测试的微器件排列结构的测试方法，包括：提供第三探针和第四探针；沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接的扩展电极上；对所述第三微LED芯片进行光电参数测试；沿所述列方向，移动所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可测试的微器件排列结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；/n位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；/n其中，一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种可测试的微器件排列结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；
位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；
其中，一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。


2.根据权利要求1所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，还包括：平坦化层和阻挡层；
所述平坦化层位于所述衬底表面，且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；
所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上，且暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极。


3.根据权利要求2所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极。


5.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，
呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第一微LED芯片和第二微LED芯片；
同一列中，所述第一微LED芯片的第一电极和位于其下方的第二微LED芯片的第一电极连接同一扩展电极；
所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。


6.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，
同一行中，每个所述微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。


7.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接三个微LED芯片的电极；
呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第三微LED芯片、第四微LED芯片和第五微LED芯片；
其中，第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；
第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极；
第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；
第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。


8.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接四个微LED芯片的电极；
呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第六微LED芯片和第七微LED芯片；
其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第i-1列的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二电极连接同一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈江乔，柯志杰，艾国齐，刘鉴明，黄青青，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35