菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件技术

本发明专利技术提供一种菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术菲并氮杂奈通过引入菲并氮杂奈类衍生物的稠环结构，得到的菲并氮杂奈类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明专利技术的菲并氮杂奈类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。本发明专利技术还公开一种菲并氮杂奈类衍生物的制备方法，以及使用菲并氮杂奈类衍生物的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件
本专利技术属于有机光电材料
，涉及菲并氮杂奈类衍生物、制备方法和包含该菲并氮杂奈类衍生物的电子器件。更具体地，本专利技术涉及适用于电子器件特别是有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池的菲并氮杂奈类衍生物以及使用了该菲并氮杂奈类衍生物的电子器件。
技术介绍
有机电致发光器件具有自主发光、低电压驱动、全固化、宽视角、组成和工艺简单等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机电致发光器件不需要背光源。因此，有机电致发光器件具有广泛的应用前景。有机电致发光器件一般包括阳极、金属阴极和它们之间夹着的有机层。有机层主要包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。另外，发光层大多采用主客体结构。即，将发光材料以一定浓度掺杂在主体材料中，以避免浓度淬灭和三线态-三线态湮灭，提高发光效率。因此，一般要求主体材料具有较高的三线态能级，并且同时具有较高的稳定性。目前，有机电致发光材料的研究已经在学术界和工业界广泛开展，大量性能优良的有机电致发光材料陆续被开发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种菲并氮杂奈类衍生物，其特征在于，其由下述通式(I)表示：/n

【技术特征摘要】
1.一种菲并氮杂奈类衍生物，其特征在于，其由下述通式(I)表示：



其中，
L1，L2，L3，L4各自独立地表示单键、羰基、具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基；
m，n各自独立地为0～4的整数，并且m和n不同时为0；
p，q各自独立地为0～2的整数；
X表示CR1或者N；
A1-A4各自独立地表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、
Ar1～Ar8各自独立地表示氢原子、氰基或任选被一个或多个R1取代的、具有6至30个碳原子的芳香族烃基或任选被一个或多个R1取代的、具有5至30个碳原子的芳香族杂环基；
R1表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、NO2、N(R2)2、OR2、SR2、C(＝O)R2、P(＝O)R2、Si(R2)3、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳香族烃基、或取代或未取代的具有5至40个碳原子的芳香族杂环基；
R2表示氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳香族烃基或取代或未取代的具有5至30个碳原子的芳香族杂环基。


2.根据权利要求1所述的菲并氮杂奈类衍生物，其特征在于，其由下述通式(1)至(25)表示：





3.根据权利要求1所述的菲并氮杂奈类衍生物，其特征在于，Ar1～Ar8各自独立地选自氢原子、氰基或下述基团：












其中，虚线表示与L1、L2、L3、L4或...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔林松，朱向东，张业欣，陈华，
申请(专利权)人：苏州久显新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32