【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，具体的来说涉及一种用于半导体行业 的钎焊、封装等工艺及生产中使用的内控真空焊接炉。
技术介绍
在半导体行业中，半导体器件的钎焊、封装等工艺中，需要进行真空焊 接或烧结。而目前进行真空焊接或烧结所采用的设备一般是隧道式焊接炉和 普通真空焊接炉。传统隧道式烧结炉主要用于半导体器件的后道封装、钎悍、气体保护热处理等工业生产， 一般的其长度10-13米，宽1.5米占地面积较大，工作温度 400摄氏度一1000摄氏度，温度控制精度士2度一6度，控制段数为3-8段， 冷却方式一般为水循环，机身十分笨重，总功率50KVA耗电量大，隧道炉是 敞开式结构，高温下需要的保护气体大量输入，气体用量十分庞大，且焊接 面会有气孔产生，焊接有效面积70%，拉伸强度不足。针对传统隧道式烧结炉用于半导体行业的钎焊、封装等工艺及生产中反 应的问题，该行业开始使用普通焊接炉进行半导体的钎焊、封装。普通焊接 炉是一种集电加热技术、真空技术、自动控制技术于一体的真空加热设备， 有效解决了隧道焊接炉的气体用量大、焊接不良等问题。但是该这种普通焊 接炉也存在着如下缺点1、...
【技术保护点】
内控真空焊接炉，包括真空炉体和门，其特征在于，在所述真空炉体设置有加热装置，在贴近加热装置的上部设置有烧结模具搁置架，所述烧结模具搁置在烧结模具搁置架上。
【技术特征摘要】
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