垂直针型电容器及包括其的图像感测装置制造方法及图纸

公开了垂直针型电容器及包括其的图像感测装置。该图像感测装置包括：像素区和位于像素区的外部的外围区。外围区包括设置为接收来自像素区的像素信号并且被配置为处理像素信号的逻辑电路和位于邻近逻辑电路的电容器。电容器包括：有源区、凹陷结构和第一结。有源区包括第一杂质区和形成于第一杂质区上方的第二杂质区。凹陷结构包括设置于有源区中并包括导电材料的第一部分和围绕第一部分并包括绝缘材料的第二部分。第一结形成于有源区中并与凹陷结构间隔开预定距离。

【技术实现步骤摘要】
垂直针型电容器及包括其的图像感测装置
本专利文档中公开的技术和实现涉及图像感测装置。
技术介绍
图像传感器是被配置为将光学图像转换为电信号的装置。随着计算机产业和通信产业的飞速发展，在各种领域(例如，数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医用微型相机、机器人等)中对高质量和高性能的图像传感器的需求正在迅速增长。
技术实现思路
所公开的技术的实现涉及垂直针型电容器及包括该垂直针型电容器的图像感测装置。所公开的技术的一些实现涉及用于增加每单位面积的电容的垂直针型电容器及包括该垂直针型电容器的图像感测装置。根据本公开的实施方式，图像感测装置可以包括：像素区，该像素区包括图像像素并且被构造为响应于在像素区中接收的光而产生像素信号；以及外围区，该外围区位于像素区的外部。外围区可以包括：逻辑电路，该逻辑电路被设置为接收来自像素区的像素信号并且被配置为处理像素信号；以及电容器，该电容器位于邻近逻辑电路。电容器可以包括：有源区、凹陷结构和第一结。有源区可以包括第一杂质区和形成于第一杂质区上方的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：/n像素区，该像素区包括图像像素并且被构造为响应于在所述像素区中接收的光而产生像素信号；以及/n外围区，该外围区位于所述像素区的外部，/n其中，所述外围区包括：/n逻辑电路，该逻辑电路被设置为接收来自所述像素区的所述像素信号并且被配置为处理所述像素信号；以及/n电容器，该电容器位于邻近所述逻辑电路，/n其中，所述电容器包括：/n有源区，该有源区包括第一杂质区和形成于所述第一杂质区上方的第二杂质区；/n凹陷结构，该凹陷结构至少部分地设置在所述有源区中，并且所述凹陷结构包括设置在所述有源区中并包括导电材料的第一部分和围绕所述第一部分并包括绝缘材料的第二部分...

【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01728251.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
像素区，该像素区包括图像像素并且被构造为响应于在所述像素区中接收的光而产生像素信号；以及
外围区，该外围区位于所述像素区的外部，
其中，所述外围区包括：
逻辑电路，该逻辑电路被设置为接收来自所述像素区的所述像素信号并且被配置为处理所述像素信号；以及
电容器，该电容器位于邻近所述逻辑电路，
其中，所述电容器包括：
有源区，该有源区包括第一杂质区和形成于所述第一杂质区上方的第二杂质区；
凹陷结构，该凹陷结构至少部分地设置在所述有源区中，并且所述凹陷结构包括设置在所述有源区中并包括导电材料的第一部分和围绕所述第一部分并包括绝缘材料的第二部分；以及
第一结，该第一结形成于所述有源区中并与所述凹陷结构间隔开预定距离。


2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一杂质区和所述第二杂质区具有彼此不同的极性。


3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一杂质区包括N型杂质，并且所述第二杂质区包括P型杂质。


4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一结包括第三杂质区，所述第三杂质区具有与所述第二杂质区相同的极性以及比所述第二杂质区的杂质密度高的杂质密度。


5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述凹陷结构延伸以穿过所述第二杂质区。


6.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括第二结，该第二结形成为具有与所述第一杂质区相同的极性并且被配置为延伸以穿过所述第二杂质区，所述第二结联接到所述第一杂质区。


7.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中，所述第二结包括：
第四杂质区，该第四杂质区形成为穿过所述第二杂质区并且联接到所述第一杂质区，所述第四杂质区具有与所述第一杂质区相同的极性以及比所述第一杂质区的杂质密度高的杂质密度；以及
第五杂质区，该第五杂质区形成于所述第四杂质区上方并且具有与所述第四杂质区相同的极性以及比所述第四杂质区的杂质密度高的杂质密度。


8.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
附加杂质区，该附加杂质区形成为围绕所述凹陷结构的侧表面并具有与所述第一杂质区相同的极性，所述附加杂质区与所述第一杂质区接触。


9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述凹陷结构形成于所述第二杂质区中而不延伸到所述第一杂质区。


10.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述有源区由器件隔离结构限定，并且所述凹陷结构的所述第二部分与所述器件隔离结构接触。


11.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述凹陷结构和所述第一结与所述器件隔离结构接触。


12.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述凹陷结构的与所述器件隔离结构接触的所述第二部分包括所述凹陷结构的侧表面，该侧表面被设置为比所述凹陷结构的不与所述器件隔离结构接触的另一侧表面距离所述第一结更远。


13.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一杂质区和所述第二杂质区具有相同的极性，所述第二杂质区具有比所述第一杂质区的杂质密度高...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭坪水，朴圣根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR