摄像装置以及其制造方法制造方法及图纸

本申请提供摄像装置以及其制造方法。本申请的一个形态所涉及的摄像装置(100)具备半导体衬底(60)和多个像素(10)，多个像素(10)的每一个具备：光电转换部(12)，将入射光转换为电荷；第1扩散区域(67n)，位于半导体衬底(60)中，与光电转换部(12)电连接；复位晶体管(26)，包括第1扩散区域(67n)且具备栅极电极(26e)，并将第1扩散区域(67n)用作源极以及漏极的一方；接触插头(cp1)，与第1扩散区域(67n)直接连接，并与光电转换部(12)电连接，以半导体衬底(60)的表面为基准，接触插头(cp1)的高度与栅极电极(26e)的高度彼此相等。

Camera device and manufacturing method thereof

【技术实现步骤摘要】
摄像装置以及其制造方法
本申请涉及摄像装置以及其制造方法。
技术介绍
在数字相机等中广泛应用到CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合器件)图像传感器以及CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器。这些图像传感器具有被形成在半导体衬底的光电二极管。另外，例如专利文献1中公开了一种摄像装置，该摄像装置具有在半导体衬底的上方配置具有光电转换层的光电转换部的结构。具有这种结构的摄像装置被称作层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，由光电转换而产生的电荷被蓄积到半导体衬底上设置的电荷蓄积区域(被称为“FD：浮置扩散区”)。与被蓄积到电荷蓄积区域电荷量相对应的信号，经由包括被形成在半导体衬底的晶体管的CCD电路或CMOS电路而被读出。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1日本特开2009-164604号公报在半导体衬底上设置的电荷蓄积区域被连接有与光电转换部连接的插头。在该插头与布线、以及被形成在半导体衬底的晶体管的栅极电极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，/n该摄像装置具备：/n半导体衬底；以及/n多个像素，/n所述多个像素的每一个具备：/n光电转换部，将入射光转换为电荷；/n扩散区域，位于所述半导体衬底中，与所述光电转换部电连接；/n第1晶体管，包括所述扩散区域并具备栅极，且所述第1晶体管将所述扩散区域用作源极以及漏极的一方；/n插头，包括半导体，且该插头与所述扩散区域直接连接，与所述光电转换部电连接，/n以所述半导体衬底的表面为基准，所述插头的高度与所述栅极的高度彼此相等。/n

【技术特征摘要】
20181015 JP 2018-1945631.一种摄像装置，
该摄像装置具备：
半导体衬底；以及
多个像素，
所述多个像素的每一个具备：
光电转换部，将入射光转换为电荷；
扩散区域，位于所述半导体衬底中，与所述光电转换部电连接；
第1晶体管，包括所述扩散区域并具备栅极，且所述第1晶体管将所述扩散区域用作源极以及漏极的一方；
插头，包括半导体，且该插头与所述扩散区域直接连接，与所述光电转换部电连接，
以所述半导体衬底的表面为基准，所述插头的高度与所述栅极的高度彼此相等。


2.如权利要求1所述的摄像装置，
所述插头与所述栅极具有彼此相同的组成。


3.如权利要求1所述的摄像装置，
所述插头具有：
包括半导体的第1层；以及
位于所述第1层上的包括半导体的第2层。


4.如权利要求3所述的摄像装置，
所述栅极具有：
包括半导体的第3层；以及
位于所述第3层上的包括半导体的第4层。


5.如权利要求4所述的摄像装置，
所述第1层与所述第3层的组成彼此相同，
所述第2层与所述第4层的组成彼此相同。


6.如权利要求4所述的摄像装置，
所述第1层、所述第2层、所述第3层、以及所述第4层的组成彼此相同。


7.如权利要求3至6的任一项所述的摄像装置，
所述第1层具有贯通孔，
所述第2层经由所述贯通孔，与所述扩散区域直接连接。


8.一种摄像装置的制造方法，
所述摄像装置的制造方法包括：
第1工序，在具有扩散区域的半导体衬底的上方形成半导体膜；
第2工序，通过除去所述半导体膜的一部分，来形成插头以及第1晶体管的栅极，所述插头与所述扩散区域直接连接，所述第1晶体管包括所述扩散区域，以用作源极以及漏极的一方；以及
第3工...

【专利技术属性】
技术研发人员：境田良太，佐藤好弘，佐伯幸作，堂下秀树，山下武志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，TOWERJAZZ松下半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP