一种图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器及其制造方法，根据本发明专利技术的图像传感器，其利用重掺杂区进行电信号的间接引出，防止了对焊盘的损坏；所述轻掺杂区和重掺杂区形成反向PN结，以减小寄生电容，防止漏电和电流的聚集；并且在形成由于重掺杂区和轻掺杂区采用原位掺杂方式，会导致该区域的应力过大，不利于布线层的连接可靠性，引出在掺杂接触区上的布线层上设置应力缓冲层，以防止应力损毁布线层。

An image sensor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器及其制造方法
本专利技术涉及半导体芯片封装测试制造领域，具体涉及一种图像传感器及其制造方法。
技术介绍
图像传感器是摄像模组的核心部件，CMOS图像传感器与电荷耦合器件是当前两种主流图像传感器。其中，电荷耦合器件集成在单晶硅材料上，像素信号逐行逐列依此移动并在边缘出口位置依此放大，CMOS图像传感器集成在金属氧化物半导体材料上，每个像素点均带有信号放大器，像素信号可以直接扫描导出。CMOS具有低成本、设计简单、尺寸小、功耗低等优势。随着技术成熟进步，CCD已经逐渐被CMOS图像传感器取代。现有的CMOS图像传感器，一般是先对其衬底进行有源面的盖玻璃封装，然后进行背面钻孔和布线。具体可以参见图8，盖玻璃4通过具有粘合性的间隔件3粘合于半导体衬底1上，所述半导体衬底1上具有有源区2(或感测器)和多个焊盘6，为了引出电极，需要在半导体衬底1的背面形成通孔5，所述通孔5露出所述多个焊盘6，然后形成绝缘层7和布线层8，布线层8将焊盘6的信号引出至背面，布线层8被塑封层9密封且通过凸块10最终引出。该种封装方法，通孔5需要蚀刻或者钻刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其包括：半导体衬底、间隔件和盖玻璃；/n所述盖玻璃通过所述间隔件黏附于所述半导体衬底的上表面上；/n所述半导体衬底的上表面上设置有感测区和多个焊盘，所述焊盘围绕在所述感测区周围；且在所述半导体衬底的下表面设置有多个盲孔；所述多个盲孔与所述多个焊盘对应，所述多个盲孔的底部未露出所述多个焊盘，且所述底部与所述多个焊盘之间留有间隔区，所述间隔区具有第一厚度；所述半导体衬底还包括掺杂第一半导体类型的轻掺杂区以及掺杂第二半导体类型的重掺杂区，所述轻掺杂区和重掺杂区从所述盲孔的底部开始经由所述盲孔的侧壁延伸至所述下表面，且所述轻掺杂区具有第一深度，所述重掺杂区具有第二深度，其中，所述第...

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其包括：半导体衬底、间隔件和盖玻璃；
所述盖玻璃通过所述间隔件黏附于所述半导体衬底的上表面上；
所述半导体衬底的上表面上设置有感测区和多个焊盘，所述焊盘围绕在所述感测区周围；且在所述半导体衬底的下表面设置有多个盲孔；所述多个盲孔与所述多个焊盘对应，所述多个盲孔的底部未露出所述多个焊盘，且所述底部与所述多个焊盘之间留有间隔区，所述间隔区具有第一厚度；所述半导体衬底还包括掺杂第一半导体类型的轻掺杂区以及掺杂第二半导体类型的重掺杂区，所述轻掺杂区和重掺杂区从所述盲孔的底部开始经由所述盲孔的侧壁延伸至所述下表面，且所述轻掺杂区具有第一深度，所述重掺杂区具有第二深度，其中，所述第一深度大于所述第二深度，所述第一深度和第二深度均大于所述第一厚度；
在所述下表面形成有树脂密封层，所述树脂密封层填充所述多个盲孔且覆盖所述下表面，所述树脂密封层在所述下表面具有露出部分所述重掺杂区的开口，多个凸块形成于所述开口中的金属层上。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述金属层与所述重掺杂区之间形成有金属硅化物层。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：还包括应力缓冲层，其覆盖所述重掺杂区，且所述应力缓冲层被所述树脂密封层覆盖。


4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述应力缓冲层为拉应力的氮化硅或氮氧化硅。


5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述第一半导体类型为As，所述第二半导体类型为P，所述轻掺杂区与所述重掺杂区构成反向PN结。


6.一种图像传感器的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晓琛，杜坤，
申请(专利权)人：淄博职业学院，
类型：发明
国别省市：山东;37