一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板制造技术

本发明专利技术公开了一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，包括：衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列；所述显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列的结构单元由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成；所述光电探测阵列，包括成阵列分布的光电探测单元，所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成，形成于TFT信号读写及处理电路阵列上，并通过互连金属和信号读取单元连接，第二结构单元没有第一结构单元中的钝化层。本发明专利技术将蓝光探测、显示驱动、TFT读写电路和TFT信号处理电路等多种应用高度集成，基于同种材料、同种器件结构，将极大简化工艺步骤，降低制造成本。

An integrated detection substrate based on metal oxide thin film transistor

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)技术是平板显示领域中应用最广泛的技术。金属氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、良好的均匀性、较低的工艺温度且生产成本较低等优点，可以满足现在以及将来超高分辨率和超大尺寸显示等要求，因而受到国内外学术界和产业界的广泛关注。目前大部分的金属氧化物薄膜晶体管主要基于N沟道类型，P沟道金属氧化物薄膜晶体管的主要问题来源于其空穴迁移率低使其特性不如N沟道器件。近年来，基于氧化锡材料的薄膜晶体管通过工艺手段可实现N型和P型导电特性，使基于同种材料的互补式逻辑电路的实现成为可能。互补金属氧化物半导体技术因其低功耗、高噪声容限、高逻辑摆幅输出、高电路集成密度、结构简单等优点，在集成电路中得到了广泛的应用。基本的互补式反相器是集成电路中的常见单元，同时需要N型和P型晶体管。氧化锡的双极特性使得互补式逻辑电路的制备变得简单。同时，当前蓝光普遍存在于手机、电视、电脑、荧光灯等光线中，可穿过人眼角膜，直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，包括：/n衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列；/n所述显示驱动阵列，包括成阵列分布的显示驱动单元，所述显示驱动单元由N沟道的第一TFT结构单元组成；/n所述TFT信号读写及处理电路阵列，包括成阵列分布的信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元，所述信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元均由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成；所述信号写入单元和所述显示驱动单元连接；/n所述光电探测阵列，包括成阵列分布的光电探测单元，所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成,形成于TFT信号...

【技术特征摘要】
1.一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，包括：
衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列；
所述显示驱动阵列，包括成阵列分布的显示驱动单元，所述显示驱动单元由N沟道的第一TFT结构单元组成；
所述TFT信号读写及处理电路阵列，包括成阵列分布的信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元，所述信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元均由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成；所述信号写入单元和所述显示驱动单元连接；
所述光电探测阵列，包括成阵列分布的光电探测单元，所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成,形成于TFT信号读写及处理电路阵列上，并通过互连金属和信号读取单元连接；
所述第一TFT结构单元，包括在第一衬底上形成的第一栅电极，覆盖第一栅电极的第一介电层，在第一介电层上形成的第一沟道层，在第一沟道层的两侧上形成第一源漏电极，在第一沟道层上形成钝化层；
所述第二TFT结构单元，包括在第二衬底上形成的第二栅电极，覆盖第二栅电极的第二介电层、在第二介电层上形成光电探测层，在光电探测层的两侧上形成第二源漏电极；
所述第一沟道层和光电探测层为具有双极特性的金属氧化物半导体。


2.如权利要求1所述的基于金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑志威，尚宗伟，马俊，刘伟东，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35