具有防开裂结构的半导体装置制造方法及图纸

本申请案涉及具有防开裂结构的半导体装置。本文揭示了具有包含防开裂结构的金属化结构的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体装置包含形成于半导体衬底上方的金属化结构。所述金属化结构可包含经由一或多个导电材料层电耦合到所述半导体衬底的结合衬垫，以及至少部分地在所述导电材料周围的绝缘材料，例如低κ电介质材料。所述金属化结构可进一步包含定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述半导体衬底之间的防开裂结构。所述防开裂结构可包含从所述结合衬垫朝向所述半导体衬底竖直延伸且经配置以防止裂缝传播通过所述绝缘材料的障壁部件。

【技术实现步骤摘要】
具有防开裂结构的半导体装置相关申请的交叉引用本申请案含有与同时申请的标题为“具有防开裂结构的半导体封装(SEMICONDUCTORPACKAGESHAVINGCRACK-INHIBITINGSTRUCTURES)”的美国专利申请案有关的主题。公开内容以引用的方式并入本文中的相关申请案转让于美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)，且通过代理人案号010829-9365.US00识别。
本专利技术技术大体上涉及具有防开裂结构的半导体装置，且更具体地说涉及具有环型通孔金属结构的半导体装置，所述金属结构形成于所述半导体装置的结合衬垫下方。
技术介绍
包含存储器芯片、微处理器芯片和成像器芯片的封装半导体裸片通常包含安装在衬底上且包覆于保护性覆盖物中的半导体裸片。半导体裸片可包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路和成像器装置，以及电连接到所述功能特征的结合衬垫。结合衬垫可电连接到保护性覆盖物外部的端子，以允许半导体裸片连接到更高层级电路。在一些半导体封装中，半导体裸片的结合衬垫可经由热压缩结合操作电耦合到衬底，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n衬底，其包含电路元件；以及/n金属化结构，其在所述衬底上方，其中所述金属化结构包含-/n绝缘材料；/n结合衬垫，其从所述绝缘材料暴露且电耦合到所述电路元件中的至少一个；以及/n防开裂结构，其定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述衬底之间，其中所述防开裂结构包含(a)大体上平行于所述结合衬垫延伸的金属层，和(b)在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的障壁部件。/n

【技术特征摘要】
20181228 US 16/236,1671.一种半导体装置，其包括：
衬底，其包含电路元件；以及
金属化结构，其在所述衬底上方，其中所述金属化结构包含-
绝缘材料；
结合衬垫，其从所述绝缘材料暴露且电耦合到所述电路元件中的至少一个；以及
防开裂结构，其定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述衬底之间，其中所述防开裂结构包含(a)大体上平行于所述结合衬垫延伸的金属层，和(b)在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的障壁部件。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述防开裂结构未电耦合到所述电路元件中的任一者。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件是形成第一环的第一障壁部件，且其中所述防开裂结构还包含形成与所述第一环同心的第二环的第二障壁部件。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中-
所述结合衬垫经配置以附接到导电支柱，
当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第一环定位于所述导电支柱的占据面积外部，且
当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第二环定位于所述导电支柱的占据面积内部。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括所述导电支柱。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中-
所述障壁部件是第一障壁部件，
所述防开裂结构还包含第二障壁部件，
所述结合衬垫经配置以附接到导电支柱，
当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第一障壁部件完全定位于所述导电支柱的占据面积外部，且
当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第二障壁部件完全定位于所述导电支柱的占据面积内部。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的多个柱。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的多个细长片段。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括钨。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述金属层包括选自由铜和铝组成的群组的材料。


11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘材料包括低κ电介质材料。


12.根据权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：全炫锡，杨胜伟，S·U·阿里芬，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US