【技术实现步骤摘要】
具有防开裂结构的半导体装置相关申请的交叉引用本申请案含有与同时申请的标题为“具有防开裂结构的半导体封装(SEMICONDUCTORPACKAGESHAVINGCRACK-INHIBITINGSTRUCTURES)”的美国专利申请案有关的主题。公开内容以引用的方式并入本文中的相关申请案转让于美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)，且通过代理人案号010829-9366.US00识别。
本专利技术技术大体上涉及具有防开裂结构的半导体装置，且更具体地说涉及具有华夫格式金属结构的半导体装置，所述金属结构形成于所述半导体装置的结合衬垫下方。
技术介绍
包含存储器芯片、微处理器芯片和成像器芯片的封装半导体裸片通常包含安装在衬底上且包覆于保护性覆盖物中的半导体裸片。半导体裸片可包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路和成像器装置，以及电连接到所述功能特征的结合衬垫。结合衬垫可电连接到保护性覆盖物外部的端子，以允许半导体裸片连接到更高层级电路。在一些半导体封装中，半导体裸片的结合衬垫可经由倒装芯片...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n衬底，其包含电路元件；以及/n金属化结构，其在所述衬底上方，其中所述金属化结构包含-/n绝缘材料；/n结合衬垫，其从所述绝缘材料暴露且电耦合到所述电路元件中的至少一个；以及/n防开裂结构，其包含(a)在所述结合衬垫与所述衬底之间横向延伸的金属栅格，和(b)在所述金属栅格与所述结合衬垫之间竖直延伸的障壁部件。/n
【技术特征摘要】
20181228 US 16/236,1431.一种半导体装置，其包括：
衬底，其包含电路元件；以及
金属化结构，其在所述衬底上方，其中所述金属化结构包含-
绝缘材料；
结合衬垫，其从所述绝缘材料暴露且电耦合到所述电路元件中的至少一个；以及
防开裂结构，其包含(a)在所述结合衬垫与所述衬底之间横向延伸的金属栅格，和(b)在所述金属栅格与所述结合衬垫之间竖直延伸的障壁部件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述防开裂结构未电耦合到所述电路元件中的任一者。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属栅格界定多个开口，且其中所述绝缘材料处于所述开口中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述开口具有直线横截面形状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属栅格包含面对所述结合衬垫的第一表面，且其中所述第一表面包含在第一方向上延伸的第一通道，以及在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二通道。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一方向正交于所述第二方向。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述障壁部件包含第一障壁部件和第二障壁部件，其中所述第一障壁部件沿着所述第一通道延伸，且其中所述第二障壁部件沿着所述第二通道延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一障壁部件跨越所述第一通道从邻近于所述金属栅格的第一侧连续地延伸到邻近于所述金属栅格的第二侧。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二障壁部件具有比所述第一障壁部件的长度短的长度。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一障壁部件中的两个或更多个(a)沿着所述第一通道中的个别者且(b)彼此平行延伸，且其中所述第二障壁部件中的两个或更多个(a)沿着所述第二通道中的个别者且(b)彼此平行延伸。
11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一方向正交于所述第二方向，且其中所述第一障壁部件与所述第二障壁部件间隔开。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件具有矩形横截面形状。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括钨，且其中所述金属栅格结构包括选自由铜和铝组成的群组的材料。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包含第一障壁部件和第二障壁部件，其中所述第一障壁部件跨越所述金属栅格在第一方向上横向延伸且具有第一长度，其中所述第二障壁部件跨越所述金属栅格在第二方向上横向延伸且具有第二长度，其中所述第一长度长于所述第二长度，且其中所述第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·U·阿里芬，全炫锡，杨胜伟，川北计三，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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