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本文揭示了具有包含防开裂结构的金属化结构的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体装置包含形成于半导体衬底上方的金属化结构。所述金属化结构可包含经由一或多个导电材料层电耦合到所述半导体衬底的结合衬垫，以及至少部分地在所述导电材...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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