系统级封装及其制备方法技术方案

本申请实施例提供了一种系统级封装及制备方法。其中，所述系统级封装包括：第一重布线层RDL；设置在所述第一RDL正面的第一电子元件，所述第一电子元件与所述第一RDL电连接；设置在所述第一RDL正面的第一化合物，所述第一电子元件包封在所述第一化合物中；设置在所述第一RDL背面的第二电子元件，所述第二电子元件与所述第一RDL电连接；设置在所述第一RDL背面的第二化合物，所述第二电子元件包封在第二化合物中；其中，所述第一电子元件为裸片或无源器件中的至少一种，所述第二电子元件为二次封装的器件。

System level packaging and its preparation

【技术实现步骤摘要】
系统级封装及其制备方法
本申请涉及半导体封装，尤其涉及一种系统级封装及其制备方法。
技术介绍
随着电子设备的发展，在架构和功能上一直在走加法，集成功能越来越多，但是作为面向用户的产品，外形尺寸导致内部空间受限，对电子元件尺寸和厚度要求越来越高。系统级封装技术使电子元件的集成度越来越高，将电子元件在架构上由2D空间往3D空间的堆叠架构延伸。但是在实现了平面上更高的集成度的同时，电子元件在厚度上也受到限制，所以要求解决在三维空间的体积上集成度是未来先进封装技术的发展方向。
技术实现思路
本申请实施例提供一种系统级封装结构及制备方法，采用晶圆级封装或板级封装工艺将系统中有源或无源器件采用先进的半导体工艺实现系统级互连，即RDL的半导体工艺方法。从而替代传统封装中的封装基板，使有源或无源器件之间金属互连层以及金属层间介质层厚度降低，实现封装薄型化。第一方面，提供了一种系统级封装，包括：第一重布线层RDL；设置在所述第一RDL正面的第一电子元件，所述第一电子元件与所述第一RDL电连接；设置在所述第一RDL正面的第一化合物，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统级封装，其特征在于，包括：/n第一重布线层RDL；/n设置在所述第一RDL正面的第一电子元件，所述第一电子元件与所述第一RDL电连接；/n设置在所述第一RDL正面的第一化合物，所述第一电子元件包封在所述第一化合物中；/n设置在所述第一RDL背面的第二电子元件，所述第二电子元件与所述第一RDL电连接；/n设置在所述第一RDL背面的第二化合物，所述第二电子元件包封在第二化合物中；/n其中，所述第一电子元件为裸片或无源器件中的至少一种，所述第二电子元件为二次封装的器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种系统级封装，其特征在于，包括：
第一重布线层RDL；
设置在所述第一RDL正面的第一电子元件，所述第一电子元件与所述第一RDL电连接；
设置在所述第一RDL正面的第一化合物，所述第一电子元件包封在所述第一化合物中；
设置在所述第一RDL背面的第二电子元件，所述第二电子元件与所述第一RDL电连接；
设置在所述第一RDL背面的第二化合物，所述第二电子元件包封在第二化合物中；
其中，所述第一电子元件为裸片或无源器件中的至少一种，所述第二电子元件为二次封装的器件。


2.根据权利要求1所述的系统级封装，其特征在于，所述系统级封装还包括：
第二RDL；
设置在所述第一RDL与所述第二RDL之间的第一互连铜柱，所述第一互连铜柱用于使所述第一RDL与所述第二RDL之间电连接。


3.根据权利要求2所述的系统级封装，其特征在于，所述系统级封装还包括：
设置在所述第二RDL的远离所述第一RDL的面的第三电子元件，所述第三电子元件与所述第二RDL电连接；
设置在所述第二RDL的远离所述第一RDL的面的第三化合物，所述第三电子元件包封在所述第三化合物中。


4.根据权利要求1所述的系统级封装，其特征在于，所述系统级封装还包括：
封装基板；
设置在所述第一RDL与所述封装基板之间的第二互连铜柱，所述第二互连铜柱用于使所述第一RDL与所述封装基板之间电连接。


5.根据权利要求4所述的系统级封装，其特征在于，所述系统级封装还包括：
设置在所述封装基板的远离所述第一RDL的面的第四电子元件，所述第四电子元件与所述封装基板电连接；
设置在所述封装基板的远离所述第一RDL的面的第四化合物，所述第四电子元件包封在所述第四化合物中。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的系统级封装，其特征在于，所述系统级封装还包括：
至少一个铜核锡球，所述铜核锡球一端与所述第一RDL电连接，另一端位于所述系统级封装外侧，用于与外部电路电连接。


7.根据权利要求1至5中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶润清，郭学平，佘勇，马富强，王惠娟，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44