透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。

【技术实现步骤摘要】
透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜
本专利技术涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜，详细而言，涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。
技术介绍
一直以来，以期望的电极图案形成有包含铟锡复合氧化物(ITO)的透明导电层的透明导电性薄膜被用于触摸面板等光学用途。另外，近年来，由在触摸面板中流通的电流产生的电磁波会影响OLED、LCD等图像显示装置等，因此为了遮蔽该电磁波，也提出了在触摸面板与图像显示装置之间配置非图案化的透明导电性薄膜。作为透明导电性薄膜，例如，专利文献1中公开了一种透明导电性薄膜，其依次具备：透明树脂薄膜、硬涂层、折射率1.65～1.90的中间层、和透明导电层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-62609号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题通常，具备ITO的透明导电性薄膜通过加热而使ITO结晶化，从而使导电性(低电阻)良好。另一方面，作为透明树脂薄膜，从具有透明性、偏光性等各种功能的观点出发，有时使用环烯烃系薄膜。但是，这样的环烯烃系薄膜由于玻璃化转变点低、耐热性低，因此不能在高温下进行热处理。另外，若在低温下进行加热，则加热时间变长，导致生产率差。本专利技术提供低温下的结晶化速度良好、导电性优异的透明导电性薄膜。用于解决问题的方案本专利技术[1]包含一种透明导电性薄膜，其具备：透明基材、和配置于前述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层，前述透明导电层为非晶质，前述透明导电层在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。本专利技术[2]包含[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述Hf区域配置于前述Sn区域的厚度方向一侧。本专利技术[3]包含[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层的厚度为10nm以上且35nm以下。本专利技术[4]包含[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明基材为环烯烃系薄膜。本专利技术[5]包含一种结晶性透明导电性薄膜，其是将[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜的前述透明导电层结晶化而成的。专利技术的效果根据本专利技术的透明导电性薄膜，其具备透明基材和透明导电层，透明导电层在厚度方向具有由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。因此，低温下的结晶化速度良好，导电性优异。另外，根据本专利技术的结晶性透明导电性薄膜，生产率良好、导电性优异。附图说明图1示出本专利技术的透明导电性薄膜的第1实施方式的截面图。图2示出将图1所示的透明导电性薄膜结晶化而得到的结晶性透明导电性薄膜。图3示出本专利技术的透明导电性薄膜的第1实施方式的变形例(不具有Sn/Hf混合区域的形态)示出。图4示出本专利技术的透明导电性薄膜的第2实施方式的截面图。图5示出本专利技术的透明导电性薄膜的第3实施方式的截面图。图6示出利用X射线光电子能谱法对实施例1的透明导电性薄膜的透明导电层进行测定而得到的图。图7示出对各实施例及各比较例测定结晶化速度而得到的图。附图标记说明1透明导电性薄膜1A结晶性透明导电性薄膜2透明基材5透明导电层5A结晶性透明导电层6Sn区域7Sn/Hf混合区域8Hf区域具体实施方式<第1实施方式>参照图1，对本专利技术的透明导电性薄膜的第1实施方式的一实施方式进行说明。图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向一侧、第1方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧、第1方向另一侧)。另外，纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言，以各图的方向箭头为准。1.透明导电性薄膜透明导电性薄膜1呈具有规定的厚度的薄膜形状(包含片形状)，在与厚度方向正交的规定方向(面方向)延伸、具有平坦的上表面及平坦的下表面。透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材、电磁波屏蔽体等的一个部件，即，不是图像显示装置。即，透明导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件，是不含OLED模块等图像显示元件、而包含透明基材2、硬涂层3、光学调整层4和透明导电层5、以部件自身流通的产业上可利用的器件。具体而言，如图1所示，透明导电性薄膜1具备：透明基材2、配置于透明基材2的上表面(厚度方向一面)的硬涂层3、配置于硬涂层3的上表面的光学调整层4、和配置于光学调整层4的上表面的透明导电层5。更具体而言，透明导电性薄膜1依次具备透明基材2、硬涂层3、光学调整层4、和透明导电层5。透明导电性薄膜1优选由透明基材2、硬涂层3、光学调整层4和透明导电层5形成。2.透明基材透明基材2是用于确保透明导电性薄膜1的机械强度的透明的基材。即，透明基材2与硬涂层3及光学调整层4一起支撑透明导电层5。透明基材2为透明导电性薄膜1的最下层，具有薄膜形状。透明基材2以与硬涂层3的下表面接触的方式配置于硬涂层3的下表面整面。透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为透明基材2的材料，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等。透明基材2可以单独使用或组合使用2种以上。优选可列举出非结晶性的热塑性树脂。由此，可以具有期望的偏光轴。另外，透明性也优异。作为这样的非结晶性的热塑性树脂，优选可列举出环烯烃聚合物。即，透明基材2优选为由环烯烃聚合物形成的环烯烃系薄膜。环烯烃系聚合物是使环烯烃单体聚合而得到的、在主链的重复单元中具有脂环结构的高分子。环烯烃系树脂优选为非晶质环烯烃系树脂。作为环烯烃系聚合物，可列举出例如由环烯烃单体形成的环烯烃均聚物、例如由环烯烃单体与乙烯等烯烃等的共聚物形成的环烯烃共聚物等。作为环烯烃单体，可列举出例如降冰片烯、甲基降冰片烯、二甲基降冰片烯、亚乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、二环戊二烯、二氢二环戊二烯、四环十二碳烯、三环戊二烯等多环式烯烃、例如环丁烯、环戊烯、环辛二烯、环辛三烯等单环式烯烃等。优选可列举出多环式烯烃。这些环烯烃可以单独使用或组合使用2种以上。透明基材2的玻璃化转变点(Tg)例如为150℃以下，优选为120℃以下为，另外，例如为50℃以上，优选为70℃以上。透明基材2优选在面方向具有偏光轴。由此，通过偏光眼镜(太阳镜等)目视观察具备透明导电性薄膜1的图像显示装置时，也能够抑制由偏光眼镜和图像显示装置内的偏光件导致的正交尼科尔棱镜，辨识图像显示装置。透明基材2的总透本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材、和配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层，/n所述透明导电层为非晶质，/n所述透明导电层在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2467401.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材、和配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层，
所述透明导电层为非晶质，
所述透明导电层在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。


2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述Hf区域配置于所述Sn区域的厚度方向一侧。

【专利技术属性】
技术研发人员：竹安智宏，酒井和也，西岛仁志，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP