【技术实现步骤摘要】
用于写入缓冲器的缓冲器复位命令的设备和方法
本专利技术大体上涉及半导体存储器和方法,且更特定来说涉及利用缓冲器复位命令的存储器管理。
技术介绍
存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可装卸式装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据,且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM),以及其它。非易失性存储器可通过在未供电时留存所存储数据而提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM),和电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它存储器。存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的广泛电子应用中的易失性存储器和非易失性存储器。举例来说,非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数字相机、蜂窝式电话、便 ...
【技术保护点】
1.一种用于操作存储器的设备,其包括:/n存储器(108;308),其包括电阻可变存储器单元的阵列(112;220;556),其经配置以横跨多个分区(352-1、352-2、352-3、...、352-N)存储与被管单位(350)对应的数据,每一分区具有与其对应的相应写入缓冲器(114;314-1、314-2、314-3、...、314-N;554);及/n控制器(106),其耦合到所述存储器,且经配置以通过向所述存储器提供写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y),后续接着写入命令(464-1、464-2、...、464-Y)来更新所述被管单位, ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20181228 US 16/234,7061.一种用于操作存储器的设备,其包括:
存储器(108;308),其包括电阻可变存储器单元的阵列(112;220;556),其经配置以横跨多个分区(352-1、352-2、352-3、...、352-N)存储与被管单位(350)对应的数据,每一分区具有与其对应的相应写入缓冲器(114;314-1、314-2、314-3、...、314-N;554);及
控制器(106),其耦合到所述存储器,且经配置以通过向所述存储器提供写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y),后续接着写入命令(464-1、464-2、...、464-Y)来更新所述被管单位,其中所述存储器经配置以:
执行所述写入缓冲器复位命令以将所述写入缓冲器置于复位状态;及
执行所述写入命令以:
基于与所述写入命令对应的数据,修改所述写入缓冲器的内容;及
将所述写入缓冲器的所述经修改内容写入到所述阵列中的经更新位置。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述经修改内容是主机数据模式(572)和所述主机数据模式的反转中的一个,且其中所述控制器经配置以:
响应于确定所述主机数据模式至少包含具有特定数据值的阈值数量个数据单元,执行模式反转以产生所述主机数据模式的所述反转。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述经更新位置包括不同的物理位置,使得所述被管单位被异地更新。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述存储器经配置以在不从所述阵列读取数据的情况下更新所述被管单位。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备,其中:
所述被管单位包括横跨Y个分区(352-1、352-2、352-3、...、352-N)分布的X个页,其中X和Y是大于1的正整数;
所述写入缓冲器复位命令是与更新所述被管单位相关联的被提供到所述存储器的X个写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y)中的第一写入缓冲器复位命令;且
所述存储器经配置以针对所述X个写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y)中的每一个执行Y个写入命令,其中所述Y个写入命令对应于所述Y个分区中的相应者。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备,其中所述被管单位是经配置以异地更新的第一类型的被管单位,且其中所述控制器经配置以经由就地更新管理第二类型的被管单位。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备,其中所述阵列中的所述经更新位置是从具有经清理状态的多个位置中选择。
8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备,其中:
所述存储器经配置以经由所述存储器内部的控制电路执行所述写入缓冲器复位和写入命令(464-1、464-2、...、464-Y);
经由存储器接口从所述存储器外部的控制器接收所述写入缓冲器复位和写入命令;且
所述存储器经配置以在无需从所述阵列读取数据的情况下执行所述写入命令。
9.一种用于操作存储器的设备,其包括:
电阻可变存储器单元阵列(112;220;556),其经配置以横跨所述阵列的多个分区(352-1、352-2、352-3、...、352-N)存储与被管单位(350)对应的数据;
多个写入缓冲器(114;314-1、314-2、314-3、...、314-N;554),所述多个写入缓冲器中的每一个对应于所述阵列的所述多个分区中的相应者;及
控制电路(110),其耦合到所述阵列和所述多个缓冲器,且经配置以:
响应于接收到写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y),执行所述写入缓冲器复位命令以将所述多个写入缓冲器置于第一状态;及
技术研发人员:M·斯福尔津,P·阿马托,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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